Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
168 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Schlagwort

Sprache

168 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Copper Barrier Properties of Low Dielectric Constant SiOCNH Film Deposited by Plasma-Enhanced CVD
    Ishimaru, Tomomi ; Ohdaira, Toshiyuki ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 151 (2003-12-09), S. C56- (6S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Analysis and Modeling of Low Pressure CVD of Silicon Nitride from a Silane‐Ammonia Mixture: I. Experimental Study and Determination of a Gaseous Phase Mechanism
    Yacoubi, Khalid ; Couderc, Jean‐Pierre ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 146 (1999-08-01), S. 3009-3017
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Film Properties of CVD Titanium Nitride Deposited with Organometallic Precursors at Low Pressure Using Inert Gases, Ammonia, or Remote Activation
    Koch, F. ; Intemann, A. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 140 (1993-11-01), S. 3215-3222
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Analysis and Modeling of Low Pressure CVD of Silicon Nitride from a Silane‐Ammonia Mixture: II. Deposition Modeling
    Yacoubi, Khalid ; Couderc, Jean‐Pierre ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 146 (1999-08-01), S. 3018-3027
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Effect of Oxygen Post Plasma Treatment on Characteristics of Electron Cyclotron Resonance CVD Fluorine‐Doped Silicon Dioxide Films Using SiF4 and O 2 Gas Sources
    Lee, Seoghyeong ; Park, Jong-Wan
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 146 (1999-02-01), S. 697-701
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    FTIR Studies of the Adsorption/Desorption Behavior of Cu Chemical Vapor Deposition Precursors on Silica: IV . Interaction of (1,1,1,5,5,5‐hexafluoroacetylacetonato)(2‐butyne)copper(I), and (1,1,1,5,5,5,‐hexafluoroacetylacetonato)(vinyltrimethylsilane)copper(I), with Passivated Silica Surfaces and Comparison to Selective CVD of Cu
    Hampden-Smith, Mark J. ; Farkas, J. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 141 (1994-12-01), S. 3547-3555
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Silicon Dioxide Deposition by Atmospheric Pressure and Low‐Temperature CVD Using TEOS and Ozone
    Tokumasu, N. ; Maeda, Kazuo ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 137 (1990-09-01), S. 2883-2887
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Si Deposition Rates in a Two‐Dimensional CVD Reactor and Comparisons with Model Calculations
    Coltrin, Michael E. ; Breiland, William G.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 137 (1990-07-01), S. 2313-2319
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Mechanical Stress of CVD‐Dielectrics
    Stadtmüeller, M.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 139 (1992-12-01), S. 3669-3674
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Influence of Hydrogen Pressure on the Properties of CVD Tungsten Silicide Films
    Madar, Roland ; Thomas, N. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 142 (1995-05-01), S. 1608-1614
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Influence of H 2 Addition and Growth Temperature on CVD of SiC Using Hexamethyldisilane and Ar
    Nordell, Nils ; Pirouz, Pirouz ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 142 (1995-02-01), S. 565-571
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Microdefects in Oxide Films Deposited on Featured Surfaces of VLSI Substrates by Thermal CVD of TEOS and O 2
    Sugawara, Katsuro ; Kato, Hisayuki ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 141 (1994-11-01), S. 3154-3157
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Thermodynamic Analysis of Selective Area CVD of Titanium Nitride Compound by the Alternating Cyclic Method
    Wang, Q. S. ; Temple, Dorota ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 141 (1994-04-01), S. 1086-1094
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High‐Selectivity and High‐Deposition Rate Tungsten CVD Freed from Chamber Cleaning
    Ohmi, Tadahiro ; Suzuki, Hiroshi ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 141 (1994-02-01), S. 566-571
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Investigation of Thermal Removal of Native Oxide from Si (100) Surfaces in Hydrogen for Low-Temperature Si CVD Epitaxy
    Yamazaki, Tatsuya ; Ito, Takashi ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 139 (1990-04-01), Heft No. 4, S. 1175-1180
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Oxidation Behavior of CVD and Single Crystal SiC at 1100°C
    C. Eric Ramberg ; Spear, Karl E. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 142 (1995-11-01), S. L214- (3S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    TEOS and Ozone Atmospheric Pressure CVD of Borophosphosilicate Glass Films Using Triethylborate and Trimethylphosphate
    Tokumasu, N. ; Fujino, K. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 140 (1993-10-01), S. 2922-2927
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Low Temperature, Atmospheric Pressure CVD Using Hexamethyldisiloxane and Ozone
    Tokumasu, N. ; Fujino, K. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 139 (1992-08-01), S. 2282-2287
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    The Thermodynamic Behavior of the Si‐H System and Its Role in Si‐CVD from SiH4
    Tao, Meng ; Hunt, Lee P.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 139 (1992-03-01), S. 806-809
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Low Temperature and Atmospheric Pressure CVD Using Polysiloxane, OMCTS, and Ozone
    Tokumasu, N. ; Fujino, K. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 138 (1991-12-01), S. 3727-3732
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -