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    Preparation of SrRuO3 films for advanced CMOS metal gates
    Ferrari, S. ; Machajdík, D. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004), S. 265-269
    Online unknown
    Zugriff:
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    Growth of lanthanum oxide films for application as a gate dielectric in CMOS technology
    Soltys, J. ; Pisecny, P. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004), S. 231-236
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Oxidation enhanced diffusion during the growth of ultrathin oxides
    Stolk, P.A. ; Montree, Andreas H. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 2 (1999-04-01), S. 29-33
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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