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    Impact of Ge-Oxide-Scavenging on Low-T Steam Oxidation and Passivation of Bi-Axially Strained Si0.75Ge0.25
    Wostyn, Kurt ; Holsteyns, Frank ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 93 (2019-10-22), S. 71-72
    Online unknown
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    (Invited) Selective Epitaxial Growth of III-V Semiconductor Heterostructures on Si Substrates for Logic Applications
    Dekoster, Johan ; Winderickx, G. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 33 (2010-10-01), S. 933-939
    Online unknown
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    Evaluation of DiMethylAminoGermaniumTetraChloride as a novel Carbon-Dopant and Germanium Precursor for Germanium and Silicon Germanium Chemical Vapor Deposition
    Leys, Frederik ; Shi, Xiaoping ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 159-162
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    From Thin Relaxed SiGe Buffer Layers to Strained Silicon Directly on Oxide
    Radu, I. ; Hueging, Norbert ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 3 (2006-10-20), S. 1047-1055
    Online unknown
    Zugriff:
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    The Deposition of Polycrystalline SiGe with Different Ge Precursors
    Shenai, Deo ; Brus, Stephan ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 3 (2006-10-20), S. 849-860
    Online unknown
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sm 576 - 768
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