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    A high performance and low DC power V-band MMIC LNA using 0.1 mu m InGaAs/InAlAs/InP HEMT technology
    Lai, Richard ; Tan, K.L. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 3 (1993-12-01), S. 447-449
    Online unknown
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    V-band monolithic low-noise amplifiers using ion-implanted n/sup +/-self-aligned GaAs MESFETs
    Onodera, K. ; Kazumi, Nishimura ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 9 (1999-04-01), S. 148-150
    Online unknown
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    160-190-GHz monolithic low-noise amplifiers
    Streit, D.C. ; Block, T.R. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 9 (1999), S. 311-313
    Online unknown
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    A 2-GHZ three-stage AlInAs-GaInAs-InP HEMT MMIC low-noise amplifier
    Larson, Lawrence E. ; Brown, April S. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 3 (1993-08-01), S. 265-267
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    High-yield W-band monolithic HEMT low-noise amplifier and image rejection downconverter chips
    Lee, J. ; Tan, K.L. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 3 (1993-08-01), S. 281-283
    Online unknown
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    Cryogenically cooled performance of a monolithic 44-GHz InP-based HEMT low-noise amplifier
    Lo, D.C.W. ; Berenz, J. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Jg. 5 (1995-09-01), S. 281-283
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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