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    Hydrogen elimination model of the formation of hydrogen bonding structures during the growth of hydrogenated amorphous silicon by plasma CVD
    Terakawa, Akira ; Matsunami, Hiroyuki
    In: Physical Review B, Jg. 62 (2000-12-15), S. 16808-16814
    Online unknown
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    Role of hydrogen inSiH2adsorption on Si(100)
    Chou, Mei-Yin ; Hong, Suklyun
    In: Physical Review B, Jg. 58 (1998-11-15), S. R13363- (4S.)
    Online unknown
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    Preparation and characterization ofBxC1−xthin films with the graphite structure
    Kasrai, Masoud ; Myrtle, K. ; et al.
    In: Physical Review B, Jg. 46 (1992-07-15), S. 1697-1702
    Online unknown
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    Quantitative study of C—H bonding in polymerlike amorphous carbon films usingin situinfrared ellipsometry
    Heitz, T. ; Drevillon, Bernard ; et al.
    In: Physical Review B, Jg. 58 (1998-11-15), S. 13957-13973
    Online unknown
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    Unambiguous determination of Fourier-transform infrared spectroscopy proportionality factors: The case of silicon nitride
    Schropp, Ruud E. I. ; C.H.M. van der Werf ; et al.
    In: Physical Review B, Jg. 73 (2006-05-30)
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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md 768 - 992
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