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    Properties of Si-Doped a-Plane GaN Grown with Different SiH4 Flow Rates
    Kim, Hogyoung ; Keun Man Song ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-05-01), S. 055502-55502
    Online unknown
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    Characteristics of InGaPN∕GaAs heterostructures investigated by photoreflectance spectroscopy
    Wang, T. S. ; Hwang, Jenn-Shyong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006-11-01), S. 093709-93709
    Online unknown
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    Growth of low-threading-dislocation-density GaN on graphene by hydride vapor phase epitaxy
    Qi, Lin ; Wang, Chinhua ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-02-16), S. 030308-30308
    Online unknown
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    A Comparative Study on Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InGaN with Intermediate In Compositions Grown on GaN/Sapphire Template and AlN/Si(111) Substrate
    Shigekawa, Naoteru ; Zheng, Yangdong ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-05-31), S. 08JB19
    Online unknown
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    Catalyst Temperature Dependence of NH3 Decomposition for InN Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    Hironaga, Daizo ; Mihara, Akihiro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-05-31), S. 08JD04
    Online unknown
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    The Effects of Substrate Surface Treatments on Growth of a-Plane GaN Single Crystals Using Na Flux Method
    Matsuo, Daisuke ; Kitaoka, Yasuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-02-16), S. 035501-35501
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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md 768 - 992
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