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    Demonstration of single-phase wurtzite BAlN with over 20% boron content by metalorganic chemical vapor deposition
    Li, Xiaohang ; AlQatari, Feras ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-08-24), S. 082102-82102
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    Gate-all-around junctionless silicon transistors with atomically thin nanosheet channel (0.65 nm) and record sub-threshold slope (43 mV/dec)
    Yang, Shang-Yi ; Thirunavukkarasu, Vasanthan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 110 (2017-01-16), S. 032101-32101
    Online unknown
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    Microdischarge devices with 10 or 30μm square silicon cathode cavities: pd scaling and production of the XeO excimer
    James Gary Eden ; Park, Sung-Jin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-11-22), S. 4869-4871
    Online unknown
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    Electron side-emission from corrugated CNx nanotubes
    Che, Renchao ; Peng, Lian-Mao ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-11-15), S. 4753-4755
    Online unknown
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    Carbon nanotubes-zeolite complex: A Li-intercalated compound with high storage capacity
    Tang, Zhenhua ; Che Ting Chan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-04-05), S. 2649-2651
    Online unknown
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    Structure and growth of monoclinic Mo2S3 nanorods
    Peng, L.-M. ; Che, R. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-10-27), S. 3561-3563
    Online unknown
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    Efficient white and red light emission from GaN/tris-(8-hydroxyquinolato) aluminum/platinum(II) meso-tetrakis(pentafluorophenyl) porphyrin hybrid light-emitting diodes
    Yu, Sze-Chit ; Che, Chi-Ming ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-08-25), S. 1518-1520
    Online unknown
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    Effects of ultrathin tantalum seeding layers on sol-gel-derived SrBi2Ta2O9 thin films
    Huang, Tiao-Yuan ; Chen Ti Hu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-06-17), S. 4600-4602
    Online unknown
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    Effects of tantalum adhesion layer on the properties of SrBi2Ta2O9 ferroelectric thin films
    Huang, Tiao-Yuan ; Ching Chich Leu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-12-03), S. 3833-3835
    Online unknown
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    Preparation and structure analysis of titanium oxide nanotubes
    Yuan, Zhong-Yong ; Du, Gaohui ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-11-26), S. 3702-3704
    Online unknown
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    Independently addressable subarrays of silicon microdischarge devices: Electrical characteristics of large (30×30) arrays and excitation of a phosphor
    Chen, Jack ; James Gary Eden ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-09-24), S. 2100-2102
    Online unknown
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    Silicon microdischarge devices having inverted pyramidal cathodes: Fabrication and performance of arrays
    James Gary Eden ; Chen, Jack ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 78 (2001-01-22), S. 419-421
    Online unknown
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    Effects of anneals in ammonia on the interface trap density near the band edges in 4H–silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitors
    Chung, Gilyong ; Pantelides, Sokrates T. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-11-27), S. 3601-3603
    Online unknown
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    Effect of nitric oxide annealing on the interface trap densities near the band edges in the 4H polytype of silicon carbide
    McDonald, K. ; M. Di Ventra ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-03-27), S. 1713-1715
    Online unknown
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    Relativistic electron-beam generation in a gas-loaded foil-less diode
    Liu, Yong-Gui ; Tan, Qi-Mei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 73 (1998-10-26), S. 2420-2422
    Online unknown
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    Dependence of silicon oxidation channel on distribution of surface electrons at initial stage of oxide growth on Si(001)
    Che, J. G. ; Han, Han
    In: Applied Physics Letters, Jg. 103 (2013-10-14), S. 163113-163113
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Impact of oxygen annealing on high-k gate stack defects characterized by random telegraph noise
    Cheng, Osbert ; Chen, Jone F. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 101 (2012-09-17), S. 122105-122105
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Enhanced performance of photodetector and photovoltaic based on carrier reflector and back surface field generated by doped graphene
    Chen, Yang-Fang ; Di Yan Wang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 101 (2012-08-13), S. 073906-73906
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Memory characteristics of laser-crystallized polycrystalline-silicon silicon-oxide-nitride-oxide-silicon thin-film transistor with location-controlled grain boundary perpendicular to the channel
    Wang, Chao-Lung ; Kuo, Hsu-Hang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-06-11), S. 244103-244103
    Online unknown
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    The recovery mechanism of the light-induced instability of the amorphous InGaZnO thin film transistors
    Lee, I-Che ; Tsai, Chih-Hung ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-05-21), S. 212112-212112
    Online unknown
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