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    Thermally stimulated current spectroscopy of traps in CVD grown monolayer MoS2
    Kantimay Das Gupta ; Deb, Swarup ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 115 (2019-07-15), S. 032104-32104
    Online unknown
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    Enhanced ferromagnetism in mechanically exfoliated CVD-carbon films prepared by using adamantane as precursor
    Nakajima, Hideki ; Maensiri, Santi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-06-11), S. 242406-242406
    Online unknown
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    Insights into gold-catalyzed plasma-assisted CVD growth of silicon nanowires
    Pere Roca i Cabarrocas ; Chen, Wanghua
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-07-25), S. 043108-43108
    Online unknown
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    Singular instabilities on LPE GaAs, CVD Si, and MBE InP growth surfaces
    Rode, Daniel L. ; Schumaker, N. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 30 (1977-01-15), S. 75-78
    Online unknown
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    Electron and hole transport in CVD Si3N4films
    Yun, Bob H.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 27 (1975-08-15), S. 256-258
    Online unknown
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    Role of wrinkles in the corrosion of graphene domain-coated Cu surfaces
    Zhang, Y. H. ; Zhang, H. R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-04-07), S. 143110-143110
    Online unknown
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    Photoluminescence of size-separated silicon nanocrystals: Confirmation of quantum confinement
    Ledoux, Gilles ; Huisken, Friedrich ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-06-24), S. 4834-4836
    Online unknown
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    Growth temperature dependent graphene alignment on Ir¿111¿
    Michely, Thomas ; Hattab, H. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 98 (2011), Heft 15
    Online unknown
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    Effects of low temperature preannealing on ion‐implant assisted intermixing of Si1−xGex/Si quantum wells
    Labrie, Daniel ; Aers, G. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 69 (1996-12-16), S. 3866-3868
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Nitrogen induced increase of growth rate in chemical vapor deposition of diamond
    Koidl, Peter ; Wörner, Eckhard ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 68 (1996-02-05), S. 759-760
    Online unknown
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    Intermixing between HfO2 and GeO2 films deposited on Ge(001) and Si(001): Role of the substrate
    Miotti, Leonardo ; Israel Jacob Rabin Baumvol ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 98 (2011-03-28), S. 131912-131912
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Resistive interlayer for improved performance of thin film silicon solar cells on highly textured substrate
    Billet, Adrian ; Ballif, Christophe ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-02-15), S. 073507-73507
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    On the surface roughness development of hydrogenated amorphous silicon deposited at low growth rates
    van Racmm René Swaaij ; van de Mcm Richard Sanden ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 95 (2009), Heft 2, S. 021503-21503
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Growth mechanism ofα-Ga2O3on a sapphire substrate by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated gallium source solutions
    Ohta, Marika ; Uno, Kazuyuki ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-08-03), S. 052106-52106
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Control of solution wettability on fine-textured crystalline silicon surface to obtain high-quality passivation for solar cells
    Ohdaira, Keisuke ; Cong Thanh Nguyen ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 114 (2019-04-01), S. 133901-133901
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Paramagnetic NO2 centers in thin γ-irradiated HfO2 layers on (100)Si revealed by electron spin resonance
    Stesmans, Andre ; Afanas'ev, Valeri ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-05-31), S. 4574-4576
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Ultra high density three dimensional capacitors based on Si nanowires array grown on a metal layer
    Jousseaume, V. ; Baron, Thierry ; et al.
    In: Applied Physics Letters, 2012-08-21
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Self-aligned mechanical attachment of carbon nanotubes to silicon dioxide structures by selective silicon dioxide chemical-vapor deposition
    Brink, Markus ; Whittaker, Jed D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-12-22), S. 5307-5309
    Online unknown
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    Generation of ultrahigh pressure using single-crystal chemical-vapor-deposition diamond anvils
    Hu, Jingzhu ; Hemley, Russell J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-12-22), S. 5190-5192
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Long coherence times at 300 K for nitrogen-vacancy center spins in diamond grown by chemical vapor deposition
    Butler, James E. ; Doering, P. J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-11-17), S. 4190-4192
    Online unknown
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