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    Low-voltage operation and high endurance of 5-nm ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 capacitors
    Si Joon Kim ; Lee, Jaebeom ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-10-29), S. 182903-182903
    Online unknown
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    CMOS compatible low-power volatile atomic switch for steep-slope FET devices
    Lim, Seokjae ; Yoo, Jongmyung ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-07-16), S. 033501-33501
    Online unknown
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    Low-energy intense pulsed light annealing of InZnO sol-gel films via employment of a resonant absorber
    Lee, Hoo-Jeong ; Kwan Hyun Cho ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 119 (2021-09-27), S. 132102-132102
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    2DEGs formed in AlN/GaN HEMT structures with AlN grown at low temperature
    DenBaars, Steven P. ; Hatui, Nirupam ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 118 (2021-05-31), S. 222103-222103
    Online unknown
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    Origin of low-temperature negative transconductance in multilayer MoS2 transistors
    Liao, Lei ; Liu, Xingqiang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 119 (2021-07-26), S. 043502-43502
    Online unknown
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    Hydrogen-dependent low frequency noise and its physical mechanism of HfO2 resistance change random access memory
    En, Yun-Fei ; Liu, X. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-12-04), S. 232104-232104
    Online unknown
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    Selective area heteroepitaxy of low dislocation density antiphase boundary free GaAs microridges on flat-bottom (001) Si for integrated silicon photonics
    Song, Bowen ; Shi, Bei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 118 (2021-03-22), S. 122106-122106
    Online unknown
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    Air-stable and low threshold amplified spontaneous emission via CsBr aqueous solution processed all-inorganic CsPbBr3 perovskite films
    Chen, Wei ; Li, Weili ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 118 (2021-06-21), S. 251106-251106
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Predicted metallization of hydrogen nanograins at low pressures
    Wang, Kai ; Lei, Haile ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 119 (2021-09-20), S. 121602-121602
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Ultra-low voltage resistive switching of HfO2 buffered (001) epitaxial NiO films deposited on metal seed layers
    Ji, H. ; Qiu, Xiaoyan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-10-02), S. 142103-142103
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effect of voltage divider layer on self-current compliance resistive switching in Ta/TaOx/ITO structure with an ultra-low power consumption
    Li, Jiacheng ; Guo, Shuqin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 118 (2021-01-25), S. 042103-42103
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Low temperature homoepitaxy of (010) β-Ga2O3 by metalorganic vapor phase epitaxy: Expanding the growth window
    Whittaker-Brooks, Luisa ; Krishnamoorthy, Sriram ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-10-05), S. 142102-142102
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Complex plume stoichiometry during pulsed laser deposition of SrVO3 at low oxygen pressures
    Wang, Jun ; Rijnders, Guus ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 113 (2018-11-26), Heft 22
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Ultra-low threshold green InGaN quantum dot microdisk lasers grown on silicon
    Zhao, Chunyu ; Wang, Jiannong ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-07-20), S. 031104-31104
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Low thermal conductivity in GeTe-based thermoelectric materials with additional activated carbon
    Ryu, Juhee ; Kim, Hyunji ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 118 (2021-02-01), S. 053902-53902
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Low Schottky barrier contacts to 2H-MoS2by Sn electrodes
    Lin, Fanrong ; Martin, Jens ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 116 (2020-01-13), S. 022101-22101
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Low-temperature wafer-scale fabrication of vertical VO2 nanowire arrays
    Wang, Zixu ; Zhao, Yaxuan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-08-24), S. 083108-83108
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Suppressing the carrier concentration of zinc tin nitride thin films by excess zinc content and low temperature growth
    Ohashi, Naoki ; Ohsawa, Takeo ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 115 (2019-12-02), S. 232104-232104
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Large low-frequency resistance noise in chemical vapor deposited graphene
    Atindra Nath Pal ; Ghosh, Arindam ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010), Heft 13, S. 1-3
    Online unknown
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    Ultra-low-frequency self-oscillation of photocurrent in InxGa1−xAs∕Al0.15Ga0.85As multiple-quantum-well p–i–n diodes
    Fujiwara, Kenzo ; Kimura, T. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-10-18), S. 3483-3485
    Online unknown
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