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    Back-End-of-Line Compatible Fully Depleted CMOS Inverters Employing Ge p-FETs and α-InGaZnO n-FETs
    Han, Kaizhen ; Wang, Chengkuan ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-10-01), S. 1488-1491
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    Optical Power Efficiency Versus Breakdown Voltage of Avalanche-Mode Silicon LEDs in CMOS
    Wienk, Gerard J. M. ; Annema, Anne-Johan ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 38 (2017-06-23), Heft 7, S. 898-901
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    Correction to 'Broadband Terahertz Power Detectors Based on 90-nm Silicon CMOS Transistors With Flat Responsivity Up to 2.2 THz' [Sep 18 1413-1416]
    Lisauskas, Alvydas ; Roskos, Hartmut G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, 2019
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    CMOS-Compatible Replacement Metal Gate InGaAs-OI FinFET With $I_{ON}=156~\mu \text{A}/\mu \text{m}$ at $V_{DD}= 0.5$ V and $I_{OFF}=100$ nA/$\mu \text{m}$
    Caimi, Daniele ; Deshpande, Veeresh ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-02-01), S. 169-172
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    Effects of Parasitic Resistance on the Performance of Silicon Avalanche Photodetectors in Standard CMOS Technology
    Woo Young Choi ; Lee, Myung-Jae
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016), S. 60-63
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    In-Die Through-BEOL Metal Wall for Noise Isolation in 180-nm FD-SOI CMOS
    Li, Cheng ; Chen, Qi ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-05-01), S. 630-632
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    Titanium Silicide/Titanium Nitride Full Metal Gates for Dual-Channel Gate-First CMOS
    Murray, Conal E. ; Dechene, Jessica ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-02-01), S. 150-153
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    Enhanced Efficiency in Backside-Illuminated Deep-n-Well-Assisted CMOS Photovoltaic Devices
    Hung, Yung-Jr ; Chen, Jia-Fa ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-11-01), S. 1169-1171
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    Improved Performance in Mirror-Assisted Back-Contact CMOS Photovoltaic Devices
    Chun, Chung-Lin ; Hung, Yung-Jr ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-05-01), S. 478-480
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    Effective Crosstalk Isolation With Post-CMOS Selectively Grown Porous Silicon Technique for Radio Frequency System-on-Chip (SOC) Applications
    Huang, Ru ; Liao, Huailin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008-09-01), S. 994-997
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    Achieving Low-$V_{T}$ Ni-FUSI CMOS by Ultra-Thin $\hbox{Dy}_{2}\hbox{O}_{3}$ Capping of Hafnium Silicate Dielectrics
    Demand, Marc ; Lauwers, Anne ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 28 (2007-11-01), S. 980-983
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    Ultra Low Contact Resistivities for CMOS Beyond 10-nm Node
    Guillorn, M. ; Sleight, Jeffrey W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-06-01), S. 723-725
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    Cost-Effective Low $V_{t}$ Ni-FUSI CMOS on SiON by Means of Al Implant (pMOS) and $\hbox{Yb}{+}\hbox{P}$ Coimplant (nMOS)
    Mertens, Sofie ; Niwa, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), S. 34-37
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    Effects of High-Pressure Annealing on Random Telegraph Signal Noise Characteristic of Source Follower Block in CMOS Image Sensor
    Kwon, Sung-Kyu ; Kwak, Ho-Young ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-02-01), S. 190-192
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    Ni-Containing Electrodes for Compact Integration of Resistive Random Access Memory With CMOS
    Fang, Zheng ; Kwong, Dim-Lee ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013-04-01), S. 508-510
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    On the Impact of Through-Silicon-Via-Induced Stress on 65-nm CMOS Devices
    Minkyu, Je ; Shi, Jinglin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 34 (2013), S. 18-20
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    Forming-Free $\hbox{TiO}_{2}$-Based Resistive Switching Devices on CMOS-Compatible W-Plugs
    Waser, Rainer ; Bruchhaus, Rainer ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-11-01), S. 1588-1590
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    Chip-Level Thermoelectric Power Generators Based on High-Density Silicon Nanowire Array Prepared With Top-Down CMOS Technology
    Lo, Guo-Qiang ; Singh, Navab ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 32 (2011-05-01), S. 674-676
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    High-Performance Silicon Nanowire Gate-All-Around nMOSFETs Fabricated on Bulk Substrate Using CMOS-Compatible Process
    Yan, Jiang ; Niu, Jiebin ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-12-01), S. 1377-1379
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    High FET Performance for a Future CMOS $\hbox{GeO}_{2}$ -Based Technology
    Brice De Jaeger ; Merckling, Clement ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-05-01), S. 402-404
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