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    Nitride-MBE system for in situ synchrotron X-ray measurements
    Ishikawa, Fumitaro ; Sasaki, Takuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-04-05), S. 05FB05
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    Effects of buffer layer and back-surface field on MBE-grown InGaAsP/InGaAs solar cells
    Ming, Tan ; Wu, Yuanyuan ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-01-05), S. 022301-22301
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    Growth of high-indium-content InGaN:Mg thin films by MBE method with dual RF nitrogen plasma cells
    Murakami, Yoshifumi ; Matsunaga, Tatsuya ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 53 (2014-09-29), S. 11RC04
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    A New Silicon Field-Effect Transistors with Two-Hole-Transport-Mode (HTM) Channels Grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE)
    San Lein Wu ; Yan Ping Wang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 37 (1998-11-01), S. L1290
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    MBE Growth and Characterization of Single Crystal and Bicrystal Permalloy (110) Thin Films
    Huang, Jung-Chun-Andrew ; Yu, Chin-Chung
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 39 (2000), S. 220-220
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    Improved Electron Mobility of Two-Dimensional Electron Gas Formed Area-Selectively in GaAs/AlGaAs Heterostructure by Focused Si Ion Beam Implantation and MBE Overgrowth
    Fujii, Toshio ; Arimoto, Hiroshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 30 (1991), S. L71
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    Dependence of the Carrier Concentration Profile at the Si MBE Layer/p-Si Substrate Interface on the Si Substrate Preparation Method
    Kanaya, Hiroyuki ; Hasegawa, Fumio ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-02-01), S. L195
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    Metalorganic MBE Growth of Nitrogen-doped ZnSe: TAN Doping and Nitrogen Plasma Doping
    Hoshiyama, Mitsuo ; Suemune, Ikuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 35 (1996-02-01), S. 1436-1436
    Online unknown
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    Reflection High-Energy Electron Diffraction Intensity Oscillations during Si MBE Growth on HF-Treated Si(111) Surface
    Hasegawa, Fumio ; Kumagai, Yoshinao ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 31 (1992-08-01), S. L1103
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    Strain Relaxation in MBE-Grown Si1-xGex/Si(100) Heterostructures by Annealing
    Yaguchi, Hiroyuki ; Ito, Ryoichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 30 (1991-08-01), S. L1450
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    Gas Source MBE Growth of GaAs/AlGaAs Heterojunction Bipolar Transistor with a Carbon Doped Base Using Only Gaseous Sources
    Fujii, Toshio ; Ando, Hideyasu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 30 (1991-03-01), S. 464-464
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    Effect of Arsenic Pressure on Donor and Acceptor Concentration in Si Doped MBE GaAs Layers
    Neu, Gérard ; Chaix, Catherine ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-10-01), S. 1908-1908
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    Highly Uniform Si-Doped GaAs Epitaxial Layers Grown by MBE Using a TEG, Arsenic, and Silicon System
    Nanbu, Kazuo ; Kondo, Kazuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-07-01), S. 1248-1248
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    Preferential PtSi Formation in Thermal Reaction between Pt and Si0.8Ge0.2 MBE Layers
    Kanaya, Hiroyuki ; Hasegawa, Fumio ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-06-01), S. L850
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    Compensation Mechanism in Heavily Si-Doped GaAs Grown by MBE
    Uematsu, Masashi ; Maezawa, Koichi
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-04-01), S. L527
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    Fabrication and Properties of MgO/Bi2Sr2CaCu2OxInterfaces Using Crystalline and Amorphous MgO Films Grown by the MBE Method
    Usuki, Tatsuro ; Yamano, Koji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 31 (1992-06-01), S. 1765-1765
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    MBE Growth Method for Pyramid-Shaped GaAs Micro Crystals on ZnSe(001) Surface Using Ga Droplets
    Koguchi, Nobuyuki ; Chikyow, Toyohiro
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-11-01), S. L2093
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    Doping Characteristics of Gas-Source MBE-Grown n-AlxGa1-xAs (x=0-0.28) Doped Using Disilane
    Fujii, Toshio ; Ando, Hideyasu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-11-01), S. 2386-2386
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    Interdiffusion of Si and Ge Atoms during Gas-Source MBE of Ge on Si(100) at 500–800°C
    Miyamoto, Nobuo ; Chiba, Kazuhiro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-09-01), S. L1591
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    Positron Study of Vacancy-Type Defects Induced by Heavy Doping into MBE-Grown GaAs
    Uedono, Akira ; Tanigawa, Shoichiro
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-02-01), S. L346
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