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    The use of stressed silicon in MOS transistors and CMOS structures
    Neizvestnyi, I. G. ; Gridchin, V. A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 38 (2009-03-01), S. 71-86
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Influence of implantation of silicon and oxygen ions into a heteroepitaxial silicon layer on a sapphire substrate on the leakage currents of n-channel transistors of CMOS IC SOS technology
    Ulanova, A.V. ; Chistilin, A. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 40 (2011-05-01), S. 209-214
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Selection of optimal parameters of laser radiation for simulating ionization effects in silicon bulk-technology microcircuits
    Gromov, D. V. ; A. Yu. Nikiforov ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 43 (2014-03-01), S. 133-138
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Evaluating the effect of temperature on the accuracy of laser simulation of the transient radiation response in semiconductor devices and circuits
    Skorobogatov, P. K. ; Nikiforov, A. Y.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 37 (2008), S. 15-24
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    [Untitled]
    Naumova, Olga V. ; Popov, A. I. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 31 (2002), S. 232-237
    Online unknown
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    [Untitled]
    Altukhov, A. A. ; A. Yu. Mityagin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 30 (2001), S. 94-98
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Deep traps in heteroepitaxial SOS layers subjected to various treatments
    Shiryaeva, M. V. ; Korovin, A. P. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 29 (2000-07-01), S. 246-260
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    [Untitled]
    Orlikovskii, A. A. ; Zakharov, R. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 30 (2001), S. 295-302
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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