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    Capacitive effective thickness of a few nanometers by atomic layer deposition and device performance in Ge gate-all-around fin field effect transistors
    Yiin Kuen Fuh ; Bo Yuan Chen ; et al.
    In: Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, Jg. 14 (2015-10-13), S. 044501-44501
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Large-size <math display='inline' overflow='scroll'><mi>P</mi></math>-type silicon microchannel plates prepared by photoelectrochemical etching
    Tian, Fei ; Xin, Peisheng ; et al.
    In: Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, Jg. 8 (2009-07-01), S. 033012-33012
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Novel bilayer bottom antireflective coating structure for high-performance ArF lithography applications
    Chen, Hsuen-Li ; Chao, W. C. ; et al.
    In: Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, Jg. 1 (2002-04-01), S. 58-58
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -