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    In situ wavelength tuning of quantum-dot single-photon sources integrated on a CMOS-processed silicon waveguide
    Yamaguchi, Takuto ; Ota, Yasutomo ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 116 (2020-01-27), S. 041103-41103
    Online unknown
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    1.5μm quantum-dot diode lasers directly grown on CMOS-standard (001) silicon
    Zhu, Si ; Kei May Lau ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-11-26), S. 221103-221103
    Online unknown
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    CMOS compatible low-power volatile atomic switch for steep-slope FET devices
    Lim, Seokjae ; Yoo, Jongmyung ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-07-16), S. 033501-33501
    Online unknown
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    Ion traps fabricated in a CMOS foundry
    Sage, Jeremy M. ; Mehta, Karan K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-07-28), S. 044103-44103
    Online unknown
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    CMOS-compatible method for doping of buried vertical polysilicon structures by solid phase diffusion
    Ripp, Alexander ; Shalish, Ilan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 108 (2016-03-28), S. 132101-132101
    Online unknown
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    Inverted silicon island edge observation in SOS/CMOS transistors by SEM EBIC methods
    Gates, J. L. ; Griffith, O. K.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 27 (1975-07-01), S. 43-45
    Online unknown
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    Vertical limits of resistive memory scaling: The detrimental influence of interface states
    Hazra, Preetam ; Jinesh, K. B.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 116 (2020-04-27), S. 173502-173502
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Investigation of multilayer WS2 flakes as charge trapping stack layers in non-volatile memories
    Ren, Deliang ; Wang, Hong ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-06-04), S. 231903-231903
    Online unknown
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    High performance high-κ/metal gate complementary metal oxide semiconductor circuit element on flexible silicon
    Muhammad Mustafa Hussain ; G. A. Torres Sevilla ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 108 (2016-02-29), S. 094102-94102
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Properties of slow traps of ALD Al2O3/GeOx/Ge nMOSFETs with plasma post oxidation
    Yu, Xiao ; Ke, Mengnan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-07-18), S. 032101-32101
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Demonstration of ultra-thin buried oxide germanium-on-insulator MOSFETs by direct wafer bonding and polishing techniques
    Zheng, Zejie ; Zhao, Yi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-07-11), S. 023503-23503
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Junction-less poly-Ge FinFET and charge-trap NVM fabricated by laser-enabled low thermal budget processes
    Tung Ying Hsieh ; Yeh, Wen-Kuan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 108 (2016-06-13), S. 243502-243502
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Electromagnetic simulation modeling of silicon substrate for 60 GHz on-chip differential-feed dipole antenna
    Ando, Makoto ; Hirokawa, Jiro ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 103 (2013-09-01), Heft No. 12, S. 122101-122101
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Inverter made of complementary p and n channel transistors using a single directly deposited microcrystalline silicon film
    Wagner, Sigurd ; Chen, Yu
    In: Applied Physics Letters, Jg. 75 (1999-08-23), S. 1125-1127
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    Single shot measurement of a silicon single electron transistor
    Morrissey, Q. R. ; Lam, A. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 93 (2008-11-10), Heft 19
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    1.9% bi-axial tensile strain in thick germanium suspended membranes fabricated in optical germanium-on-insulator substrates for laser applications
    Geiger, R. ; Rouchon, D. ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 107 (2015), Heft 19, S. 1-1
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    An ultrafast silicon nanoplasmonic ballistic triode
    Greig, S. R. ; Elezzabi, A. Y.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-12-15), S. 241115-241115
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Band alignment between amorphous Ge2Sb2Te5 and prevalent complementary-metal-oxide-semiconductor materials
    Yeo, Yee-Chia ; Shi, Luping ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 92 (2008-01-21), S. 032107-32107
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Soft-breakdown-suppressed ultrathin atomic-layer-deposited silicon–nitride/SiO2 stack gate dielectrics for advanced complementary metal–oxide–semiconductor technology
    Yokoyama, Shin ; Khosru, Quazi D. M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-11-19), S. 3488-3490
    Online unknown
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    Simple and accurate expressions for distributed mutual inductance and resistance of semiconducting interconnects
    Nauwelaers, Bart ; Ymeri, Hassan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-08-27), S. 1378-1380
    Online unknown
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