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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    General 2D Schrodinger-Poisson solver with open boundary conditions for nano-scale CMOS transistors
    Pourghaderi, M. Ali ; Magnus, Wim ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics, Jg. 7 (2008-12-01), Heft 4, S. 475-484
    Online academicJournal
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    Scaling MOSFETs to 10 nm: Coulomb effects, source starvation, and virtual source model
    Fischetti, M. V. ; Jin, S. ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics, Jg. 8 (2009-06-01), Heft 2, S. 60-77
    Online academicJournal
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    Excess drain noise simulation in ultrathin oxides MOSFETs
    Contaret, T. ; Ghibaudo, G. ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics, Jg. 5 (2006-07-01), Heft 2, S. 187
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Numerical Analysis of Coaxial Double Gate Schottky Barrier Carbon Nanotube Field Effect Transistors
    Pourfath, Mahdi ; Ungersboeck, Enzo ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics, Jg. 4 (2005-04-01), Heft 1, S. 75
    Online academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Applicability of Quasi-3D and 3D MOSFET Simulations in the 'Atomistic' Regime
    Roy, S. ; Lee, A. ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics, Jg. 2 (2003-12-01), Heft 2, S. 423
    Online academicJournal
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sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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