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    Active ESD protection circuit design against charged-device-model ESD event in CMOS integrated circuits
    Chen, Shih-Hung ; Ker, Ming-Dou
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007-09-01), S. 1502-1505
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    A novel fast and effective methodology for CMOS monolithic microwave integrated circuit syntheses
    Chen, Chih-Chiang ; Sun, Hai-Tao ; et al.
    In: Microwave and Optical Technology Letters, Jg. 54 (2012-02-16), S. 1053-1056
    Online unknown
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    A simple rail‐to‐rail CMOS voltage follower
    Kasemsuwan, Varakorn ; Nakhlo, Weerachai
    In: Microelectronics International, Jg. 26 (2009-01-23), S. 17-21
    Online unknown
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    Transistor-and Circuit-Design Optimization for Low-Power CMOS
    Lu, Lee-Chung ; Chang, Chih-Sheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008), S. 84-95
    Online unknown
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    Design Challenges of Analog-to-Digital Converters in Nanoscale CMOS
    Matsuzawa, Akira
    In: IEICE Transactions on Electronics, 2007-04-01, S. 779-785
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    Overview on ESD protection design for mixed-voltage I/O interfaces with high-voltage-tolerant power-rail ESD clamp circuits in low-voltage thin-oxide CMOS technology
    Chang, Wei-Jen ; Ker, Ming-Dou
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007), S. 27-35
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    A proposal for high-performance CCII-based analogue CMOS design
    Lopez-Martin, Antonio J. ; Ramirez-Angulo, Jaime ; et al.
    In: International Journal of Circuit Theory and Applications, Jg. 33 (2005), S. 379-391
    Online unknown
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    Design automation to suppress cable discharge event (CDE) induced latchup in 90nm CMOS ASICs
    Gauthier, Robert J. ; Brennan, Ciaran J. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007-07-01), S. 1069-1073
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Methodology on extracting compact layout rules for latchup prevention in deep-submicron bulk CMOS technology
    Lo, Wen-Yu ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 16 (2003-05-01), S. 319-334
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A Compact Circuit Model of Five-Port Transformer Balun for CMOS RF Integrated Circuits
    Chang, Shinil ; Shin, Hyunchol
    In: IEICE Transactions on Electronics, 2008-10-01, S. 1709-1712
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Standby and Active Leakage Current Control and Minimization in CMOS VLSI Circuits
    Pedram, Massoud ; Fallah, Farzan
    In: IEICE Transactions on Electronics, 2005-04-01, S. 509-519
    Online unknown
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    A TOTAL-DOSE HARDENING-BY-DESIGN APPROACH FOR HIGH-SPEED MIXED-SIGNAL CMOS INTEGRATED CIRCUITS
    Nowlin, Nathan ; Bailey, John ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics and Systems, Jg. 14 (2004-06-01), S. 367-378
    Online unknown
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    Design and characterization of high voltage devices integrated in a standard CMOS technology
    Villard, B. ; Gontrand, Christian ; et al.
    In: The European Physical Journal Applied Physics, Jg. 16 (2001-11-01), S. 113-120
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    Three-dimensional CMOS SOI integrated circuit using high-temperature metal-induced lateral crystallization
    Chan, Mansun ; Chan, Victor ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-07-01), S. 1394-1399
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Modeling of Variation in Submicrometer CMOS ULSI Technologies
    Zamdmer, Noah ; Watts, Josef S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-09-01), S. 2168-2178
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    Design and Integration of Novel SCR-Based Devices for ESD Protection in CMOS/BiCMOS Technologies
    Salcedo, J.A. ; Bernier, J.C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-12-01), S. 2682-2689
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    An interface circuit for a Josephson-CMOS hybrid digital system
    Hirayama, Fuminori ; Sekigawa, Toshihiro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Appiled Superconductivity, Jg. 9 (1999-06-01), S. 3314-3317
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    New layout design for submicron CMOS output transistors to improve driving capability and ESD robustness
    Chang, H. H. ; Chen, T. Y. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 39 (1999-03-01), S. 415-424
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    A physical charge-based model for non-fully depleted SOI MOSFET's and its use in assessing floating-body effects in SOI CMOS circuits
    Suh, Dongwook ; Fossum, Jerry G.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 42 (1995-04-01), S. 728-737
    Online unknown
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    A successful HBM ESD protection circuit for micron and sub-micron level CMOS
    Andersen, Bernhard H. ; Carbajal, Bernard G. ; et al.
    In: Journal of Electrostatics, Jg. 31 (1993-12-01), S. 301-312
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