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    Impact of Stress Mode on Stochastic BTI in Scaled MG/HK CMOS Devices
    KERBER, Andreas ; SRINIVASAN, Purushothaman
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 4, S. 431-433
    Online academicJournal
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    Effective Crosstalk Isolation With Post-CMOS Selectively Grown Porous Silicon Technique for Radio Frequency System-on-Chip (SOC) Applications
    CHEN, LI ; HUAILIN, LIAO ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 9, S. 994-997
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    28-nm 2T High-K Metal Gate Embedded RRAM With Fully Compatible CMOS Logic Processes
    CHIN YU, MEI ; WEN CHAO, SHEN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 10, S. 1253-1255
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Young's modulus measurements in standard IC CMOS processes using MEMS test structures
    MARSHALL, Janet C ; HERMAN, David L ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 11, S. 960-963
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Fully Differential CMOS―MEMS DETF Oxide Resonator With Q > 4800 and Positive TCF
    CHEN, Wen-Chien ; LI, Ming-Huang ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 5, S. 721-723
    Online academicJournal
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    A micromachined CMOS distributed amplifier by CMOS compatible ICP deep-trench technology
    TAO, WANG ; CHEN, Chun-Hao ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 4, S. 291-293
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A High-Density MTP Cell With Contact Coupling Gates by Pure CMOS Logic Process
    WU, Haw-Yun ; TSAI, Cheng-Wei ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 10, S. 1352-1354
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Monolithic CMOS MEMS Oscillator Circuit for Sensing in the Attogram Range
    VERD, J ; URANGA, A ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 2, S. 146-148
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Exploiting CMOS Technology to Enhance the Performance of ISFET Sensors
    PRODROMAKIS, Themistoklis ; YAN, LIU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 9, S. 1053-1055
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Bond pad design with low capacitance in CMOS technology for RF applications
    HSIAO, Yuan-Wen ; KER, Ming-Dou
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 1, S. 68-70
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 0.26-μm2 U-Shaped Nitride-Based programming cell on pure 90-nm CMOS technology
    LAI, Han-Chao ; CHENG, Kai-Yuan ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 9, S. 837-839
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Low-Parasitic and Common-Centroid Cross-Coupled CMOS Transistor Structure for High-Frequency VCO Design
    LEE, In-Young ; YUN, Seok-Ju ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 5, S. 532-534
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A CMOS-MEMS RF-Tunable Bandpass Filter Based on Two High-Q 22-MHz Polysilicon Clamped-Clamped Beam Resonators
    LOPEZ, Joan Lluis ; VERD, Jaume ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 7, S. 718-720
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Three-dimensional wafer stacking via Cu-Cu bonding integrated with 65-nm strained-Si/low-k CMOS technology
    MORROW, P. R ; PARK, C.-M ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 5, S. 335-337
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A CMOS, fully integrated sensor for electronic detection of DNA hybridization
    BARBARO, Massimo ; BONFIGLIO, Annalisa ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 7, S. 595-597
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Ni-Containing Electrodes for Compact Integration of Resistive Random Access Memory With CMOS
    WANG, X. P ; FANG, Z ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 4, S. 508-510
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    150-GHz RF SOI-CMOS Technology in Ultrathin Regime on Organic Substrate
    DES ETANGS-LEVALLOIS, Aurélien Lecavelier ; DUBOIS, Emmanuel ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 11, S. 1510-1512
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Thin-Film Bulk Acoustic Wave Resonator Floating Above CMOS Substrate
    CAMPANELLA, Humberto ; CABRUJA, Enric ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 28-30
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A New Antifuse Cell With Programmable Contact for Advance CMOS Logic Circuits
    CHEN, Maybe ; HUANG, Chia-En ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 5, S. 522-524
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A Novel Integration of Si Schottky Diode for mmWave CMOS, Low-Power SoCs, and More
    TRIVEDI, Vishal P ; JOHN, Jay P ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 3, S. 258-260
    Online academicJournal
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