Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
34 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Publikation

Sprache

34 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Piezoresistive cantilevers in a commercial CMOS technology for intermolecular force detection
    VILLANUEVA, Guillermo ; PEREZ-MURANO, Francesc ; et al.
    In: Proceedings of the 31st International Conference on Micro- and Nano-Engineering: 19-22 September 2005, Vienna, Austria, Jg. 83 (2006), Heft 4-9, S. 1302-1305
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    On-chip embedded toroidal solenoid inductors and transformers formed by post-CMOS micromachining techniques
    LEI, GU ; XINXIN, LI
    In: Microelectronic engineering, Jg. 85 (2008), Heft 4, S. 697-703
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Characterization and integration of a CVD porous SiOCH (k < 2.5) with enhanced mechanical properties for 65 nm CMOS interconnects and below
    CHAPELON, L. L ; AURAL, V ; et al.
    In: Materials for Advanced Metallization, MAM 2004. Proceedings of the European Workshop on Materials for Advanced Metallization 2004, Brussels, Belgium, March 7-10, Jg. 76 (2004), Heft 1-4, S. 1-7
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Ultra-thin silicon nitride by hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) for deep sub-micron CMOS technologies
    WAGHMARE, Parag C ; PATIL, Samadhan B ; et al.
    In: Micro- and nano- engineering 2001, MNE: proceedings of the 27th international conference on micro- and nano-engineering, September 16-19, Jg. 61-62 (2002), S. 625-629
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Assessment of oxide reliability and hot carrier degradation in CMOS technology
    MAES, H. E ; GROESENEKEN, G ; et al.
    In: Electrical and physical characterization of materials and devices for silicon microelectronics, Jg. 40 (1998), Heft 3-4, S. 147-166
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Scaling potential of pin-type 3-D SBT ferroelectric capacitors integrated in 0.18 μm CMOS technology
    GOUX, L ; MAES, D ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 10, S. 2027-2031
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Diode-based thermal r.m.s. converter with on-chip circuitry fabricated using CMOS technology
    KLAASSEN, E. H ; REAY, R. J ; et al.
    In: Sensors and actuators. A, Physical, Jg. 52 (1996), Heft 1-3, S. 33-40
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Focused ion beam sample preparation, transmission electron microscopy and electron energy loss spectroscopy analysis of advanced CMOS silicon technology interconnections
    PANTEL, R ; AUVERT, G ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 37-38 (1997), S. 49-57
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Self-aligned metal capping layers for copper interconnects using electroless plating
    GAMBINO, J ; WYNNE, J ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 11-12, S. 2059-2067
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High manufacturability Cu multilevel interconnects featuring hybrid-NCS structure
    SUGIURA, I ; MISAWA, N ; et al.
    In: Proceedings of the ninth european workshop on materials for advanced metallization 2005, 6-9 March 2005, Dresden, Germany, Jg. 82 (2005), Heft 3-4, S. 380-386
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Lithography independent high accuracy fabrication and characterization of next generation Nano-MOS-transistors with L = 25 nm and W = 75 nm
    KALLIS, K. T ; HORSTMANN, J. T ; et al.
    In: Proceedings of the 32nd International Conference on Micro- and Nano-Engineering, Barcelona, 17-20 September 2006, Jg. 84 (2007), Heft 5-8, S. 1484-1487
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A SrRuO3/IrO2 top electrode FeRAM with Cu BEOL process for embedded memory of 130 nm generation and beyond
    KUMURA, Y ; OZAKI, T ; et al.
    In: Papers selected from the 35th European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC'05, Jg. 50 (2006), Heft 4, S. 606-612
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Salicides: materials, scaling and manufacturability issues for future integrated circuits (invited)
    KITTL, J. A ; SHIAU, W. T ; et al.
    In: Materials for Advanced Metallization MAM'99, Jg. 50 (2000), Heft 1-4, S. 87-101
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Potential nanoelectronic integrated circuit technologies
    RANDALL, J ; FRAZIER, G ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (1996), Heft 1-4, S. 15-30
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Process integration, architecture and simulation of a GHz-BiCMOS ULSI technology
    DWIVEDI, V. K ; SINGH, N. B ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 24 (1993), Heft 7, S. 773-785
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Cost-effective integration of an FN-programmed embedded flash memory into a 0.25 μm SiGe:C RF-BiCMOS technology
    FOX, A ; EHWALD, K. E ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 37 (2006), Heft 11, S. 1194-1199
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Chip-to-chip interconnections based on the wireless capacitive coupling for 3D integration
    CHARLET, B ; DI CIOCCIO, L ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 11-12, S. 2195-2199
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Thermal stresses in 3D IC inter-wafer interconnects
    JING, ZHANG ; BLOOMFIELD, Max O ; et al.
    In: Proceedings of the ninth european workshop on materials for advanced metallization 2005, 6-9 March 2005, Dresden, Germany, Jg. 82 (2005), Heft 3-4, S. 534-547
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Optimization of CVD dielectric process to achieve reliable ultra low-k air gaps
    ARNAL, Vincent ; TORRES, Joaquin ; et al.
    In: Proceedings of the fifth european workshop on materials for advanced metallization (MAM 2001), Sigtuna, Sweden, March 5-7, Jg. 60 (2002), Heft 1-2, S. 143-148
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    MEMS-enabled thermal management of high-heat-flux devices EDIFICE : embedded droplet impingement for integrated cooling of electronics
    AMON, Cristina H ; MURTHY, Jayathi ; et al.
    In: International Thermal Science Seminar, Part I, Jg. 25 (2001), Heft 5, S. 231-242
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -