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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Fully integrated boost converter for thermoelectric energy harvesting in 180 nm CMOS : Circuits and systems; Special issue on highlights from the flagship Latin American symposium on circuits and systems: selected papers from LASCAS 2013
    Hernández, H.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 82 (2015), Heft 1, S. 17-23
    Online Konferenz
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    An all-CMOS self-compensated relaxation oscillator : Circuits and systems; Special issue on highlights from the flagship Latin American symposium on circuits and systems: selected papers from LASCAS 2013
    Liu, J.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 82 (2015), Heft 1, S. 241-249
    Online Konferenz
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    A 433 MHz −104 dBm OOK/ASK receiver with the dynamic range of 95 dB in 0.18-µm CMOS process : Circuits and systems; Special issue on highlights from the flagship Latin American symposium on circuits and systems: selected papers from LASCAS 2013
    Wu, J.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 82 (2015), Heft 1, S. 189-196
    Online Konferenz
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    Fully integrated Doherty power amplifier in CMOS 65 nm with constant PAE in Backoff : Circuits and systems; Special issue on highlights from the flagship Latin American symposium on circuits and systems: selected papers from LASCAS 2013
    Carneiro, M. L.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 82 (2015), Heft 1, S. 89-97
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Accurate delay models of CMOS CML circuits for design optimization : Circuits and systems; Special issue on highlights from the flagship Latin American symposium on circuits and systems: selected papers from LASCAS 2013
    Jang, I.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 82 (2015), Heft 1, S. 297-307
    Online Konferenz
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    A 60 GHz power amplifier with Psat of 13.1 dBm, PAE of 11 % and excellent matching in 90 nm CMOS for 60 GHz short-range communication systems : Circuits and systems; Special issue on highlights from the flagship Latin American symposium on circuits and systems: selected papers from LASCAS 2013
    Lin, Y. S.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 82 (2015), Heft 1, S. 229-239
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Impact analysis of deep-submicron CMOS technologies on the voltage and temperature independence of a time-domain sensor interface : Circuits and systems; Special issue on highlights from the flagship Latin American symposium on circuits and systems: selected papers from LASCAS 2013
    De Smedt, V.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 82 (2015), Heft 1, S. 285-296
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Sub-1 V band-gap based and MOS threshold-voltage based voltage references in 0.13 µm CMOS : Circuits and systems; Special issue on highlights from the flagship Latin American symposium on circuits and systems: selected papers from LASCAS 2013
    Colombo, D. M.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 82 (2015), Heft 1, S. 25-37
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    A 5.8-Gbps low-noise scalable low-voltage signaling serial link transmitter for MIPI M-PHY in 40-nm CMOS : Circuits and systems; Special issue on highlights from the flagship Latin American symposium on circuits and systems: selected papers from LASCAS 2013
    Nieminen, T.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 82 (2015), Heft 1, S. 159-169
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Integrated D-band transmitter and receiver for wireless data communication in 65 nm CMOS : Circuits and systems; Special issue on highlights from the flagship Latin American symposium on circuits and systems: selected papers from LASCAS 2013
    Xu, Z.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 82 (2015), Heft 1, S. 171-179
    Online Konferenz
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    academicJournal
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 2.488–11.2 Gb/s SerDes in 40 nm low-leakage CMOS with multi-protocol compatibility for FPGA applications : Circuits and systems; IEEE MWSCAS 2012
    Vamvakos, S. D.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 78 (2014), Heft 2, S. 259-273
    Online Konferenz
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    academicJournal
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    A noise-shaping SAR ADC for energy limited applications in 90 nm CMOS technology : New circuits and systems; Introduction to the special issue on IEEE-NEWCAS 2012
    Inanlou, R.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 77 (2013), Heft 2, S. 257-269
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 0.5–1 GHz single stage linear-in-decibel VGA with 80 dB gain range in 0.18 μm CMOS : New circuits and systems; Introduction to the special issue on IEEE-NEWCAS 2012
    Ayat, M.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 77 (2013), Heft 2, S. 307-314
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    A size sensitivity method for interactive CMOS circuit sizing : New circuits and systems; Introduction to the special issue on IEEE-NEWCAS 2012
    Shi, G.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 77 (2013), Heft 2, S. 95-104
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    A 1.0-V 6-b 40 MS/s time-domain flash ADC in 0.18 μm CMOS : New circuits and systems; Introduction to the special issue on IEEE-NEWCAS 2012
    Huang, G.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 77 (2013), Heft 2, S. 285-289
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    A fully integrated 33.8-dBm bulk CMOS T/R switch with a negative-voltage switch controller : Electronics, circuits, and systems; Special issue on advances in sensing and communication circuits: (ICECS 2012)
    Yun, S.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 77 (2013), Heft E 3, S. 557-565
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    Towards a SPR-based biosensing platform incorporating a CMOS active column sensor : Electronics, circuits, and systems; Special issue on advances in sensing and communication circuits: (ICECS 2012)
    Salazar, A.
    In: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, Jg. 77 (2013), Heft E 3, S. 365-372
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