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    Area-Efficient ESD Protection Design without Additional Process Cost in 0.18 um Salicided CMOS Technology
    Kawazoe, H. ; Aoki, E. ; et al.
    In: 30th European Solid-State Device Research Conference, 2000, S. 516-519
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Influence of CMOS-circuit areas on RF-damping of gold and aluminium microstripline in combined SIMMWIC-CMOS technology
    Beck, D. ; Kasper, E.
    In: 27th European Solid-State Device Research Conference, 1997, S. 732-735
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A Varactor with High Capacitance Tuning Range in Standard 0.25um CMOS Technology
    Maget, J. ; Tiebout, M. ; et al.
    In: 31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, S. 187-190
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Versatile RF Measurement System to Thoroughly Evaluate the Non-linear Behaviour of SOI versus Bulk CMOS Technologies
    Schreurs, D. ; Vandenberghe, S. ; et al.
    In: 29th European Solid-State Device Research Conference, Jg. 1 (1999), S. 376-379
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Realization and Evaluation of an Ultra Low-Voltage/Low-Power 0.25um (n+/p+) Dual-Workfunction CMOS Technology
    Schwalke, U. ; Berthold, J. ; et al.
    In: 27th European Solid-State Device Research Conference, 1997, S. 220-223
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS Production Compatible SiGe Heteroepitaxy for High Frequency Circuits
    Ritter, G. ; Bolze, D. ; et al.
    In: 27th European Solid-State Device Research Conference, 1997, S. 424-427
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A Novel Test Structure for Sub-micron CMOS Leakage Characterisation and Modelling
    Ning, Zhenqiu ; Hoste, S. ; et al.
    In: 30th European Solid-State Device Research Conference, 2000, S. 492-495
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Process - Application - Devices in Deep Submicron CMOS
    Borel, J.
    In: 28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, S. 2-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Multiple Gate Oxide Technology Using Fluorine Implantation
    Woerlee, P.H. ; Knitel, M.J. ; et al.
    In: 31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, S. 107-110
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Trends and Issues in BCD Smart Power Technologies
    Contiero, C. ; Galbiati, P. ; et al.
    In: 29th European Solid-State Device Research Conference, Jg. 1 (1999), S. 111-118
    Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Image Sensors in TFA Technology and their Applications for Image Pre-Processing
    Eckhardt, A. ; Schneider, B. ; et al.
    In: 28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, S. 208-211
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Critical Study of the Saturation Drain Voltage and the Multiplication Current in MOSFETs at Liquid Helium Temperature
    Simoen, E. ; Claeys, C.
    In: 31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, S. 195-198
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Geometry Scaling of the Substrate Loss of RF MOSFETs
    Tiemeijer, L.F. ; Klaassen, D.B.M.
    In: 28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, S. 480-483
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    RF Moblile Communication Circuits - Comparison of Technologies
    Neuvo, Y.
    In: 27th European Solid-State Device Research Conference, 1997, S. 24-27
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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