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    Characterization of 4 K CMOS devices and circuits for hybrid Josephson-CMOS systems
    YOSHIKAWA, N ; TOMIDA, T ; et al.
    In: The 2004 Applied Superconductivity Conference, Jacksonville, FL, USA, October 3-8, Jg. 15 (2005), Heft 2, S. 267-271
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    Ring oscillators for CMOS process tuning and variability control
    BHUSHAN, Manjul ; GATTIKER, Anne ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 19 (2006), Heft 1, S. 10-18
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    High Temperature Characterization up to 450°C of MOSFETs and Basic Circuits Realized in a Silicon-on-Insulator (SOI) CMOS Technology
    GRELLA, K ; DREINER, S ; et al.
    In: Journal of microelectronics and electronic packaging, Jg. 10 (2013), Heft 2, S. 67-72
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of double-gate CMOS for double-pole four-throw RF switch design at 45-nm technology
    SRIVASTAVA, Viranjay M ; YADAV, K. S ; et al.
    In: Journal of computational electronics (Print), Jg. 10 (2011), Heft 1-2, S. 229-240
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    High-Resistance Resistor Consisting of a Subthreshold CMOS Differential Pair : Analog Circuits and Related SoC Integration Technologies
    ASAI, Shin'ichi ; UENO, Ken ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 93 (2010), Heft 6, S. 741-746
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Robust Subthreshold CMOS Digital Circuit Design with On-Chip Adaptive Supply Voltage Scaling Technique
    OSAKI, Yuji ; HIROSE, Tetsuya ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 94 (2011), Heft 1, S. 80-88
    academicJournal
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    An Evaluation of the CMOS Technology Roadmap From the Point of View of Variability, Interconnects, and Power Dissipation
    BOEUF, Frédéric ; SELLIER, Manuel ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 55 (2008), Heft 6, S. 1433-1440
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Effects of layout methods of RF CMOS on noise performance
    WEN, WU ; SANG, LAM ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 12, S. 2753-2759
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Low-voltage CMOS subthreshold log amplification and AGC
    SERRA-GRAELLS, F ; HUERTAS, J. L
    In: IEE proceedings. Circuits, devices and systems, Jg. 152 (2005), Heft 1, S. 61-70
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Application of the Compact Channel Thermal Noise Model of Short Channel MOSFETs to CMOS RFIC Design : Fundamentals and applications of advanced semiconductor devices
    JEON, Jongwook ; SONG, Ickhyun ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 92 (2009), Heft 5, S. 627-634
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low-voltage scaling limitations for nano-scale CMOS LSIs
    ITOH, Kiyoo ; HORIGUCHI, Masashi
    In: Special Issue with Papers Selected from the Ultimate Integration on Silicon Conference, Ulis 2008, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 402-410
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Ku-band interference-rejection CMOS low-noise amplifier using current-reused stacked common-gate topology
    CHEN, Wen-Lin ; CHANG, Sheng-Fuh ; et al.
    In: IEEE microwave and wireless components letters, Jg. 17 (2007), Heft 10, S. 718-720
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Grain-Orientation Induced Quantum Confinement Variation in FinFETs and Multi-Gate Ultra-Thin Body CMOS Devices and Implications for Digital Design : CHARACTERIZATION OF NANO CMOS VARIABIALITY BY SIMULATION AND MEASUREMENTS
    HADI RASOULI, Seid ; ENDO, Kazuhiko ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 8, S. 2282-2292
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Monolithic Integration of CMOS VLSI and Carbon Nanotubes for Hybrid Nanotechnology Applications
    AKINWANDE, Deji ; YASUDA, Shinichi ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 7 (2008), Heft 5, S. 636-639
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Design of a Hybrid Controller ASIC for a VRM Using a 90-nm CMOS Process
    CHUEN MING, TAN ; MAZUMDER, Sudip K
    In: IEEE transactions on power electronics, Jg. 24 (2009), Heft 9-10, S. 2219-2230
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    60 GHz VCO with wideband tuning range fabricated on VLSI SOI CMOS technology
    ELLINGER, Frank ; MORF, Thomas ; et al.
    In: 2004 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (June 6-11, 2004
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Integration of a 90nm RF CMOS technology (200GHz fmax - 150GHz fT NMOS) demonstrated on a 5GHz LNA
    JEAMSAKSIRI, W ; MERCHA, A ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 100-101
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Design and performance analysis of double-gate MOSFET over single-gate MOSFET for RF switch
    SRIVASTAVA, Viranjay M ; YADAV, K. S ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 42 (2011), Heft 3, S. 527-534
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Influence of Channel and Gate Engineering on the Analog and RF Performance of DG MOSFETs
    MOHANKUMAR, N ; SYAMAL, Binit ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 4, S. 820-826
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Measurement and analysis of PD-SOI static latches based on bistable-gated-bipolar device
    XU, CHENG ; DUANE, Russell
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 42 (2007), Heft 11, S. 2585-2593
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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