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    Impact of Stress Mode on Stochastic BTI in Scaled MG/HK CMOS Devices
    KERBER, Andreas ; SRINIVASAN, Purushothaman
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 4, S. 431-433
    Online academicJournal
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    A Broadband Model Over 1―220 GHz for GSG Pad Structures in RF CMOS
    JUN, LIU ; ZHIPING, YU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 7, S. 696-698
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Low-Noise Avalanche Photodiode With Graded Junction in 0.15-μm CMOS Technology
    PANCHERI, Lucio ; DALLA BETTA, Gian-Franco ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 5, S. 566-568
    Online academicJournal
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    CMOS On-Chip Stable True-Random ID Generation Using Antenna Effect
    FANG, TANG ; CHEN, Denis G ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 54-56
    Online academicJournal
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    Sensitivity controllable CMOS image sensor pixel using control gate overlaid on photodiode
    CHAE, Youngcheol ; CHOE, Kunil ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 6, S. 495-498
    Online academicJournal
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    High-Q integrated inductor using post-CMOS selectively grown porous silicon (SGPS) technique for RFIC applications
    CHEN, LI ; HUAILIN, LIAO ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 8, S. 763-766
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    CMOS inverter based on gate-all-around Silicon-Nanowire MOSFETs fabricated using Top-Down approach
    RUSTAGI, S. C ; SINGH, N ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 11, S. 1021-1024
    Online academicJournal
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    Effective Crosstalk Isolation With Post-CMOS Selectively Grown Porous Silicon Technique for Radio Frequency System-on-Chip (SOC) Applications
    CHEN, LI ; HUAILIN, LIAO ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 9, S. 994-997
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Research on a Highly Sensitive Magnetic-Catalytic CMOS-MEMS Compatible Gas Sensor
    SHEN, Chih-Hsiung ; KE, Shi-Ching
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 1, S. 120-122
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Methodology for Determination of Process Induced BTI Variability in MG/HK CMOS Technologies Using a Novel Matrix Test Structure
    KERBER, Andreas
    In: IEEE electron device letters, Jg. 35 (2014), Heft 3, S. 294-296
    Online academicJournal
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    Volltext
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    28-nm 2T High-K Metal Gate Embedded RRAM With Fully Compatible CMOS Logic Processes
    CHIN YU, MEI ; WEN CHAO, SHEN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 10, S. 1253-1255
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Ink-Jet-Printed Organic Thin-Film Transistors for Low-Voltage-Driven CMOS Circuits With Solution-Processed AlOX Gate Insulator
    SUNG HOON, KIM ; SUN HEE, LEE ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 2, S. 307-309
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Characterization of Multilayer Metal Gate Fuse in 28-nm CMOS Logic Technology
    HSIEH, Min-Che ; LIN, Yu-Cheng ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 9, S. 1088-1090
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Young's modulus measurements in standard IC CMOS processes using MEMS test structures
    MARSHALL, Janet C ; HERMAN, David L ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 28 (2007), Heft 11, S. 960-963
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Effect of B2H6 Plasma Doping on the Shallow Trench Isolation in CMOS Image Sensor Device
    SUNG GYU, PYO ; JI HWAN, PARK ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 11, S. 1580-1582
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    CMOS-Integrated Poly-SiGe Piezoresistive Pressure Sensor
    GONZALEZ, P ; RAKOWSKI, M ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 8, S. 1204-1206
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A Fully Differential CMOS―MEMS DETF Oxide Resonator With Q > 4800 and Positive TCF
    CHEN, Wen-Chien ; LI, Ming-Huang ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 5, S. 721-723
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Multiple-Gate CMOS Thin-Film Transistor With Polysilicon Nanowire
    IM, Maesoon ; HAN, Jin-Woo ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 102-105
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A Traveling-Wave CMOS SPDT Using Slow-Wave Transmission Lines for Millimeter-Wave Application
    TANG, Xiao-Lan ; PISTONO, Emmanuel ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 9, S. 1094-1096
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Post-CMOS FinFET Integration of Bismuth Telluride and Antimony Telluride Thin-Film-Based Thermoelectric Devices on SoI Substrate
    ETHEM ERKAN, AKTAKKA ; GHAFOURI, Niloufar ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 10, S. 1334-1336
    Online academicJournal
    Zugriff:
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