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    Materials and device structures for sub-32 nm CMOS nodes
    SKOTNICKI, Thomas
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 1845-1852
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Timing Optimization and Noise Tolerance for Dynamic CMOS Susceptible to Process Variations
    YELAMARTHI, Kumar ; HENRY CHEN, Chien-In
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 25 (2012), Heft 2, S. 255-265
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Insights on Design and Scalability of Thin-BOX FD/SOI CMOS
    CHOUKSEY, Siddharth ; FOSSUM, Jerry G ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 9, S. 2073-2079
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Performance and Yield Benefits of Quasi-Planar Bulk CMOS Technology for 6-T SRAM at the 22-nm Node
    SHIN, Changhwan ; DAMRONGPLASIT, Nattapol ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 7, S. 1846-1854
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    An Evaluation of the CMOS Technology Roadmap From the Point of View of Variability, Interconnects, and Power Dissipation
    BOEUF, Frédéric ; SELLIER, Manuel ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 55 (2008), Heft 6, S. 1433-1440
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Innovative Materials, Devices, and CMOS Technologies for Low-Power Mobile Multimedia : Device technologies and circuit techniques for power management
    SKOTNICKI, Thomas ; FENOUILLET-BERANGER, Claire ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 55 (2008), Heft 1, S. 96-130
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A High-Speed Low-Power Multi-VDD CMOS/SIMOX SRAM With LV-TTL Level Input/Output Pins-Write/Read Assist Techniques for 1-V Operated Memory Cells
    SHIBATA, Nobutaro ; WATANABE, Mayumi ; et al.
    In: IEEE journal of solid-state circuits, Jg. 45 (2010), Heft 9, S. 1856-1869
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A single-poly EEPROM cell structure compatible to standard CMOS process
    LIN, Ching-Fang ; SUN, Cherng-Yuan
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 6, S. 888-893
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low-voltage scaling limitations for nano-scale CMOS LSIs
    ITOH, Kiyoo ; HORIGUCHI, Masashi
    In: Special Issue with Papers Selected from the Ultimate Integration on Silicon Conference, Ulis 2008, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 402-410
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characteristics of the full CMOS SRAM cell using body-tied TG MOSFETs (Bulk FinFETs)
    PARK, Tai-Su ; HYE JIN, CHO ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 53 (2006), Heft 3, S. 481-487
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Three-dimensional wafer stacking via Cu-Cu bonding integrated with 65-nm strained-Si/low-k CMOS technology
    MORROW, P. R ; PARK, C.-M ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 27 (2006), Heft 5, S. 335-337
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Grain-Orientation Induced Quantum Confinement Variation in FinFETs and Multi-Gate Ultra-Thin Body CMOS Devices and Implications for Digital Design : CHARACTERIZATION OF NANO CMOS VARIABIALITY BY SIMULATION AND MEASUREMENTS
    HADI RASOULI, Seid ; ENDO, Kazuhiko ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 8, S. 2282-2292
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Pushing CMOS beyond the roadmap
    RISCH, L
    In: Papers selected from the 35th European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC'05, Jg. 50 (2006), Heft 4, S. 527-535
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Analytical Model of Static Noise Margin in CMOS SRAM for Variation Consideration
    SHINOHARA, Hirofumi ; NII, Koji ; et al.
    In: IEICE transactions on electronics, Jg. 91 (2008), Heft 9, S. 1488-1500
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A floating-body cell fully compatible with 90-nm CMOS technology node for a 128-mb SOI DRAM and its scalability
    HAMAMOTO, Takeshi ; MINAMI, Yoshihiro ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 3, S. 563-571
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A highly manufacturable high density embedded SRAM technology for 90nm CMOS
    FUKAURA, Yasuhiro ; KASAI, Kunihiro ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 415-418
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Investigation of 65 nm CMOS transistor local variation using a FET array
    XU, Y. Z ; CHEN, C. S ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 8, S. 1244-1248
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    On the Variability in Planar FDSOI Technology: From MOSFETs to SRAM Cells : CHARACTERIZATION OF NANO CMOS VARIABIALITY BY SIMULATION AND MEASUREMENTS
    MAZURIER, Jérôme ; WEBER, Olivier ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 8, S. 2326-2336
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Direct Measurement of Correlation Between SRAM Noise Margin and Individual Cell Transistor Variability by Using Device Matrix Array : CHARACTERIZATION OF NANO CMOS VARIABIALITY BY SIMULATION AND MEASUREMENTS
    HIRAMOTO, Toshiro ; SUZUKI, Makoto ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 8, S. 2249-2256
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Silicon Germanium CMOS Optoelectronic Switching Device : Bringing Light to Latch
    OKYAY, Ali K ; KUZUM, Duygu ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 12, S. 3252-3259
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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