Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
161 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

161 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Radiation Monitor Extension for CMOS Imaging Instruments in Nanosatellites.
    Florczak, Josua ; Neubert, Tom ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1651-1658
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    SIRIO: A High-Speed CMOS Charge-Sensitive Amplifier for High-Energy-Resolution X-γ Ray Spectroscopy With Semiconductor Detectors.
    Mele, Filippo ; Gandola, Massimo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-03-01), Heft 3, S. 379-383
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Design and Verification of a 6.25 GHz LC -Tank VCO Integrated in 65 nm CMOS Technology Operating up to 1 Grad TID.
    Monda, Danilo ; Ciarpi, Gabriele ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-10-01), Heft 10, S. 2524-2532
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Study of SEU Sensitivity of SRAM-Based Radiation Monitors in 65-nm CMOS.
    Wang, Jialei ; Prinzie, Jeffrey ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 913-920
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Radiation Hardening of Digital Color CMOS Camera-on-a-Chip Building Blocks for Multi-MGy Total Ionizing Dose Environments.
    Goiffon, Vincent ; Rolando, Sebastien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 45-53
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A 2.56-GHz SEU Radiation Hard $LC$ -Tank VCO for High-Speed Communication Links in 65-nm CMOS Technology.
    Prinzie, Jeffrey ; Christiansen, Jorgen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 407-412
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Impacts of Proton Radiation on Heavy-Ion-Induced Single-Event Transients in 65-nm CMOS Technology.
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 177-183
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    An SRAM-Based Radiation Monitor With Dynamic Voltage Control in 0.18- $\mu$ m CMOS Technology.
    Prinzie, Jeffrey ; Thys, Sam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 282-289
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Signal and Noise Performance of a 110-nm CMOS Technology for Photon Science Applications.
    Traversi, Gianluca ; Dinapoli, Roberto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-04-01), Heft 4, S. 752-759
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Circuit-Level Layout-Aware Modeling of Single-Event Effects in 65-nm CMOS ICs.
    Balbekov, Anton O. ; Gorbunov, Maxim S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1914-1919
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    The MONDO Detector Prototype Development and Test: Steps Toward an SPAD-CMOS-Based Integrated Readout (SBAM Sensor).
    Mirabelli, R. ; Gasparini, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-02-01), Heft 2, S. 744-751
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Total Ionizing Dose Effects on a Radiation-Hardened CMOS Image Sensor Demonstrator for ITER Remote Handling.
    Goiffon, Vincent ; Rizzolo, Serena ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 101-110
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Development of the “GP2” Detector: Modification of the PImMS CMOS Sensor for Energy-Resolved Neutron Radiography.
    Pooley, D. E. ; Lee, J. W. L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-12-01), Heft 12, S. 2970-2981
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Comparison of a 65 nm CMOS Ring- and LC-Oscillator Based PLL in Terms of TID and SEU Sensitivity.
    Prinzie, Jeffrey ; Christiansen, Jorgen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 245-252
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Combined Effects of Total Ionizing Dose and Temperature on a K-Band Quadrature LC-Tank VCO in a 32 nm CMOS SOI Technology.
    Loveless, T. D. ; Jagannathan, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 204-211
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Experimental Investigation of the Joint Influence of Reduced Supply Voltage and Charge Sharing on Single-Event Transient Waveforms in 65-nm Triple-Well CMOS.
    Mitrovic, Mladen ; Hofbauer, Michael ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1908-1913
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Irradiation and Temperature Effects for a 32 nm RF Silicon-on-Insulator CMOS Process.
    Haeffner, T. D. ; Loveless, T. D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3037-3042
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    SET Tolerance of 65 nm CMOS Majority Voters: A Comparative Study.
    Danilov, Igor A. ; Gorbunov, Maxim S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1597-1602
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Radiation Effects in CMOS Isolation Oxides: Differences and Similarities With Thermal Oxides.
    Gaillardin, Marc ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-10), Heft 4, S. 2623-2629
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Radiation Effects in CMOS Isolation Oxides: Differences and Similarities With Thermal Oxides.
    Gaillardin, Marc ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-01), Heft 4, S. 2623-2629
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -