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    (Invited) Low Frequency Noise Performance of State-of-the-Art and Emerging CMOS Devices : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability and manufacturing; -and- Tutorials in nanotechnology : more than Moore - beyond CMOS emerging materials and devices
    Claeys, C. ; Aoulaiche, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 45 (2012), Heft 3, S. 567-580
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A Compact CMOS 3-D Magnetic Field Sensor : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability and manufacturing; -and- Tutorials in nanotechnology : more than Moore - beyond CMOS emerging materials and devices
    Wang, G. ; Misra, D.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 45 (2012), Heft 3, S. 543-558
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High Mobility Channels for Ultimate CMOS : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Sadana, D. ; Koester, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 343-354
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Geometry Dependence of Poly-Si Oxidation and its Application to Self-Align, Maskless Process for Nano-scale Vertical CMOS Structures : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Cho, H. ; Kapur, P. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 403-414
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    State-of-the-Art Characterization for 65 nm CMOS Processes and Beyond : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Hopstaken, M. ; Juhel, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 319-332
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ni, Pt and Yb Based Fully Silicided (FUSI) Gates for Scaled CMOS Technologies : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Kittl, J. A. ; Lauwers, A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 233-246
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Challenges in Dual Workfunction Metal Gate CMOS Integration : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Lee, B. ; Song, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 263-274
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Stress Characterization of Polycrystalline Silicon for Advanced CMOS Technologies : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Chen, Y. ; Mercer, D. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 225-232
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    (Invited) On the Potential of Lateral BJTs and SiGe HBTs in Advanced CMOS Technologies
    Koricic, Marko ; Osrecki, Zeljko ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 98 (2020-09-08), S. 111-117
    Online unknown
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    (Invited) Cluster-Preforming-Deposited Si-Rich W Silicide: A New Contact Material for Advanced CMOS
    Ogawa, Shinichi ; Uchida, Noriyuki ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 89 (2019-04-23), S. 155-164
    Online unknown
    Zugriff:
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    Integration Challenges of Flash Lamp Annealed LTPS for High Performance CMOS TFTs
    Robert George Manley ; Packard, Glenn ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 86 (2018-07-23), S. 57-72
    Online unknown
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    (Invited) Monolithic Integration of Si-CMOS and III-V-on-Si through Direct Wafer Bonding Process
    Zhang, Li ; Kwang Hong Lee ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 86 (2018-07-20), S. 177-184
    Online unknown
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    Novel Exploration of Flat-Band Voltage Manipulation by Nitrogen Plasma Treatment for Advanced High-k/Metal-Gate CMOS Technology
    Yin, Huaxiang ; Yao, Jiaxin ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 89 (2019-04-23), S. 55-59
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Back-End of Line Compatible Transistors for Hybrid CMOS Applications
    Liu, Po-Tsun ; Chien Min Chang ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 90 (2019-04-30), S. 135-138
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    (Invited) Proximity Gettering Design of Hydrocarbon Molecular Ion Implanted Silicon Wafers Using Direct Bonding Technique for Advanced CMOS Image Sensors: A Review
    Okuda, Hidehiko ; Hirose, Ryo ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 86 (2018-07-20), S. 77-93
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    (Invited) The New Silicon Industry: Silicon CMOS ASICs Incorporating Compound Semiconductors
    Fitzgerald, Eugene A.
    In: ECS Transactions, Jg. 86 (2018-07-20), S. 109-112
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    (Invited) Integration of an Epitaxial-Base-Link HBT Device with f T = 300GHz, f max 480GHz in 90nm CMOS
    Pribil, Andreas ; Gruenberger, Robert ; et al.
    In: ECS Transactions, 2020
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    (Invited)Electrochemical Biosensors Based on CMOS LSI Chips
    Uno, Shigeyasu
    In: ECS Transactions, Jg. 85 (2018-04-10), S. 167-174
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Deep Trenches Cleanliness Challenges for CMOS Image Sensors
    Côme de Buttet ; Dignat, Franck ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 80 (2017-08-15), S. 101-109
    Online unknown
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    (Keynote) Devices in CMOS for Terahertz Circuits and Systems
    Cao, Changhua ; Zhang, Jing ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 80 (2017-08-01), S. 3-15
    Online unknown
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