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    Materials and device structures for sub-32 nm CMOS nodes
    SKOTNICKI, Thomas
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 1845-1852
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication concept for a CMOS-compatible electrostatically driven surface MEMS switch for RF applications
    HARMS, K. U ; HORSTMANN, J. T
    In: Proceedings of the 29th Conference on Micro and Nano Engineering, September 22-25, 2003, Cambridge, United Kingdom, Jg. 73-74 (2004), S. 468-473
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Simulation of implant free III-V MOSFETs for high performance low power Nano-CMOS applications
    ASENOV, A ; KALNA, K ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2398-2403
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Electrical properties and thermal stability of MOCVD grown Ru gate electrodes for advanced CMOS technology
    TAPAJNA, M ; HUSEKOVA, K ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 11-12, S. 2412-2416
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Resistive humidity microsensor with circuit manufactured by the CMOS process
    YANG, Ming-Zhi ; DAI, Ching-Liang ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 105 (2013), S. 81-85
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High quality strained Si/SiGe substrates for CMOS and optical devices
    WEBER, J ; NEBRICH, L ; et al.
    In: Proceedings of the ninth european workshop on materials for advanced metallization 2005, 6-9 March 2005, Dresden, Germany, Jg. 82 (2005), Heft 3-4, S. 215-220
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effect and model of gate oxide breakdown on CMOS inverters
    RODRIGUEZ, R ; STATHIS, J. H ; et al.
    In: INFOS 2003 Proceedings of the 13th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors: June 18-20, Jg. 72 (2004), Heft 1-4, S. 34-38
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Breakdowns in high-k gate stacks of nano-scale CMOS devices
    PEY, K. L ; RANJAN, R ; et al.
    In: Infos 2005: Proceedings of the 14th Biennal Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 22-24, Jg. 80 (2005), S. 353-361
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A direct-write microfluidic fabrication process for CMOS-based Lab-on-Chip applications
    GHAFAR-ZADEH, Ebrahim ; SAWAN, Mohamad ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 86 (2009), Heft 10, S. 2104-2109
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A maskless wet etching silicon dioxide post-CMOS process and its application
    DAI, Ching-Liang
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 11-12, S. 2543-2550
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ge based high performance nanoscale MOSFETs
    SARASWAT, Krishna C ; CHI ON, CHUI ; et al.
    In: Infos 2005: Proceedings of the 14th Biennal Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 22-24, Jg. 80 (2005), S. 15-21
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Phase effects and short gate length device implementation of Ni fully silicided (FUSI) gates
    KITTL, J. A ; PAWLAK, M. A ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 11-12, S. 2117-2121
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High manufacturability Cu multilevel interconnects featuring hybrid-NCS structure
    SUGIURA, I ; MISAWA, N ; et al.
    In: Proceedings of the ninth european workshop on materials for advanced metallization 2005, 6-9 March 2005, Dresden, Germany, Jg. 82 (2005), Heft 3-4, S. 380-386
    Konferenz
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    Scanning Spreading Resistance Microscopy analysis of locally blocked implant sites
    DOERING, Stefan ; WACHOWIAK, Andre ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 122 (2014), S. 77-81
    academicJournal
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    Application of combinatorial methodologies for work function engineering of metal gate/high-κ advanced gate stacks
    GREEN, M. L ; CHANG, K.-S ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2209-2212
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Analysis of the degradation of HfO2/SiO2 gate stacks using nanoscale and device level techniques
    AGUILERA, L ; AMAT, E ; et al.
    In: Proceedings of the 32nd International Conference on Micro- and Nano-Engineering, Barcelona, 17-20 September 2006, Jg. 84 (2007), Heft 5-8, S. 1618-1621
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Process integration of Pr-based high-k gate dielectrics
    MANE, A. U ; WENGER, Ch ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 82 (2005), Heft 2, S. 148-153
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Statistics of progressive breakdown in ultra-thin oxides
    LINDER, B. P ; STATHIS, J. H
    In: INFOS 2003 Proceedings of the 13th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors: June 18-20, Jg. 72 (2004), Heft 1-4, S. 24-28
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Electrical characterization of SrTiO3 thin films deposited on Si(001) substrate by liquid injection MOCVD
    LEGRAND, J ; LHOSTIS, S ; et al.
    In: INFOS 2003 Proceedings of the 13th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors: June 18-20, Jg. 72 (2004), Heft 1-4, S. 310-314
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A comprehensive study of channel hot-carrier degradation in short channel MOSFETs with high-k dielectrics
    AMAT, E ; KAUERAUF, T ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 103 (2013), S. 144-149
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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