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    Development of a Prototype CMOS 0.18 μm Low-Noise Amplifier Chip for the Receiving Path of the NB-IoT system
    Kotlyarov, E. Yu. ; Putrya, M. G. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 52 (2023-12-01), Heft 7, S. 669-676
    Online academicJournal
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    View record at Springer (Volltext)
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    Inter-Device Radiation-Induced Leakages in the Bulk 180-nm CMOS Technology
    Boruzdina, A. B. ; Gerasimov, Yu. M. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-07-01), Heft 4, S. 268-272
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Electrically programmable nonvolatile memory in CMOS technology
    Ermakov, I. V. ; Shelepin, N. A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-12-01), Heft 7, S. 449-452
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Comparative Analysis of Modeling CMOS Majority Gates When Collecting a Charge from Tracks of Single Ionizing Particles
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-07-01), S. 253-263
    Online unknown
    Zugriff:
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    Integrated CMOS Microwave Power Converter for Passive Wireless Devices
    Konoplev, Boris G. ; Sinyukin, A. S.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-05-01), S. 189-196
    Online unknown
    Zugriff:
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    serialPeriodical
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    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 324-331
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Modeling of Single Ionizing Particle Impacts on Logical Elements of a CMOS Triple Majority Gate
    Katunin, Yu.V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-05-01), S. 214-223
    Online unknown
    Zugriff:
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    Methods of Improving the Accuracy of Simulating Delays and Peak Currents of Combinational CMOS-Circuits at the Logical Design Level
    Ivanova, G. A. ; Ryzhova, D. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-12-01), S. 477-484
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Modeling the Charge Collection from a Track of an Ionizing Particle in Upset Hardened CMOS Trigger Elements
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), S. 381-393
    Online unknown
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    Modeling the CMOS Characteristics of a Completely Depleted Surrounding-Gate Nanotransistor and an Unevenly Doped Working Region
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), S. 394-401
    Online unknown
    Zugriff:
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Inter-Device Radiation-Induced Leakages in the Bulk 180-nm CMOS Technology
    Kobylyatskii, A. V. ; Boruzdina, Anna B. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-07-01), S. 268-272
    Online unknown
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    Extracting a Logic Gate Network from a Transistor-Level CMOS Circuit
    Cheremisinov, Dmitry I. ; Cheremisinova, Liudmila D.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-05-01), S. 187-196
    Online unknown
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    A System for Logical Design of Custom CMOS VLSI Functional Blocks with Reduced Power Consumption
    Kardash, S. N. ; Yu. Yu. Lankevich ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018), S. 65-81
    Online unknown
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    Investigation of the features of integrating nonvolatile FRAM elements with CMOS technology
    Voronov, D. D. ; G. Ya. Krasnikov ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-09-01), S. 353-358
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Comparative analysis of CMOS circuits of a thermometer-to-binary encoder for integrated flash analog-to-digital converters
    Budanov, Dmitry O. ; Morozov, Dmitry ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017), S. 45-54
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Simulation of the potential distribution in an inhomogeneously doped workspace of a double-gate SOI CMOS nanotransistor
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-03-01), S. 139-148
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    320 × 240 CMOS array for the spectral range of 3–5 μm based on PtSi photodiodes
    A. Yu. Nikiforov ; Belin, A. M. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 45 (2016-12-01), S. 474-477
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    Basic memory elements using DICE cells for fault-tolerant 28 nm CMOS RAM
    Stepanov, Pavel ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-11-01), S. 368-379
    Online unknown
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    Simulation of the characteristics of the DICE 28-nm CMOS cells in unsteady states caused by the effect of single nuclear particles
    V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-09-01), S. 324-334
    Online unknown
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