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    (Invited) Low Frequency Noise Performance of State-of-the-Art and Emerging CMOS Devices : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability and manufacturing; -and- Tutorials in nanotechnology : more than Moore - beyond CMOS emerging materials and devices
    Claeys, C. ; Aoulaiche, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 45 (2012), Heft 3, S. 567-580
    Konferenz
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    A Compact CMOS 3-D Magnetic Field Sensor : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability and manufacturing; -and- Tutorials in nanotechnology : more than Moore - beyond CMOS emerging materials and devices
    Wang, G. ; Misra, D.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 45 (2012), Heft 3, S. 543-558
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High Mobility Channels for Ultimate CMOS : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Sadana, D. ; Koester, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 343-354
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Geometry Dependence of Poly-Si Oxidation and its Application to Self-Align, Maskless Process for Nano-scale Vertical CMOS Structures : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Cho, H. ; Kapur, P. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 403-414
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    State-of-the-Art Characterization for 65 nm CMOS Processes and Beyond : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Hopstaken, M. ; Juhel, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 319-332
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ni, Pt and Yb Based Fully Silicided (FUSI) Gates for Scaled CMOS Technologies : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Kittl, J. A. ; Lauwers, A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 233-246
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Challenges in Dual Workfunction Metal Gate CMOS Integration : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Lee, B. ; Song, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 263-274
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Stress Characterization of Polycrystalline Silicon for Advanced CMOS Technologies : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Chen, Y. ; Mercer, D. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 225-232
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    NBTI Study on PMOS Devices with TiN/HfO2 Gate Stack and Process Induced Strain : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Shickova, A. K. ; Verheyen, P. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 253-262
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Laser Spike Annealing of Strained Si/ Strained Si0.3Ge0.7/ Relaxed Si0.7Ge0.3 Dual Channel High Mobility p-MOSFETs : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Chleirigh, C. N. ; Wang, X. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 355-362
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Current Challenges in Ge MOS Technology : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Dimoulas, A. ; Houssa, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 371-384
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Thermal/Chemical Stability of ALD Ru-TaN Thin Films for Gate Electrode Applications : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Tungare, M. ; Kumar, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 303-310
    Konferenz
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    Conductive AFM Measurements on Carbon Nanotubes and Application for CNTFET Characterization : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Rispal, L. ; Ruland, T. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 441-448
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Electrical Characteristics of Ge-Nanocrystal Embedded MOS Capacitors for Non-Volatile-Memory Application : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Choi, S. ; Park, Y. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 449-456
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Dual Substrate Orientation Integration for High Performance (110) PMOS : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Karve, G. ; Ted, W. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 363-370
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Investigating Electronic and Chemical Properties of Ge/GeOxNy/HfO2 Gate Stacks : High-Resolution Photoelectron Spectroscopy Using Synchrotron Radiation : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Renault, O. J. ; Martinez, E. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 385-390
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Point-Defect Generation in Ni-, Pd-, and Pt-Germanided Schottky Barriers on N-Type Germanium Substrates : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Simoen, E. R. ; Opsomer, K. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 391-402
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    III-V MOSFET's with Advanced High k Dielectrics : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Hong, M. ; Kwo, J. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 425-440
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    On the Growth of Native Oxides on Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces in Dark and Under Illumination with Light : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Kovalgin, A. Y. ; Zinine, A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 191-202
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Epitaxial III-V Nanowires on Silicon for Vertical Devices : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Bakkers, E. ; Borgstrom, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 415-424
    Konferenz
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