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    Nickel Silicide and Nickel Germanosilicide Processing in a Near-Isothermal Cavity: Sheet Resistance Curves for Blanket Ni/Si and Ni/SiGe Substrates and Electrical Data for CMOS Devices : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Malik, I. J. ; Ouaknine, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 451-458
    Konferenz
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    Gate Quality Al2O3 by Molecular-Atomic-Deposition (MAD) and its Potential Applications in III-V Semiconductor CMOS Technology : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Cui, S. ; Li, N. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 321-330
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Recent Advances in Search for Suitable High-k/Metal Gate Solutions to Replace SiON/Poly-Silicon Gate Stacks in CMOS Devices for 45nm and Beyond Technologies : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Linder, B. ; Paruchuri, V. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 287-294
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integration Challenges for Advanced Process-Strained CMOS on Biaxial-Strained-SOI (SSOI) Substrates : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Wei, A. ; Duenkel, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 15-22
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Correlation of Local Strain in a TEM Sample and in the Bulk for a Recessed SiGe CMOS Structure : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Zhao, W. ; Duscher, G. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 23-30
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The Future of CMOS -- Limits and Opportunities : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Ning, T. H.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 3-14
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    An Original Selective Etch of Pt vs. PtSi using a Low Temperature Germanidation Process : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Breil, N. ; Halimaoui, A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 459-466
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    NiSi Roughness on Embedded SiGe : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Kwon, O. ; Han, J. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 445-450
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Chemical Vapor Deposition Epitaxy of Silicon and Silicon-Carbon Alloys at High Rates and Low Temperatures using Neopentasilane : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Sturm, J. C. ; Chung, K. H. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 429-436
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Reduced Parameter Fluctuation with Laser and Flash Lamp Anneal for 65nm Volume Production : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Feudel, T. ; Bayha, B. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 373-380
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Growth Kinetics and Boron-Doping of Very High Ge Content Si~1~-~xGe~x for Sources and Drains Engineering : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Hartmann, J. ; Gonzatti, F. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 397-400
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Relaxation-Induced Excess Leakage Current in Recessed Si~1~-~xGe~x Source/Drain Junctions : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Gonzalez, M. B. ; Chowdhury, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 389-396
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Defect Engineering for Ultrashallow Junctions using Surfaces : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Seebauer, E. G. ; Yeong, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 365-372
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Defect Free Embedded Silicon Carbon Stressor Selectively Grown into Recessed Source Drain Areas of NMOS Devices : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Bauer, M. ; Zhang, Y. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 419-428
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Dopant Segregated Pt and Ni Germanosilicide Schottky S/D p-MOSFETs with Strained Si-SiGe Channel : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Zang, H. ; Chua, C. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 437-444
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Diffraction Originated Local Heating of Nanometer Scale Device Patterns in Lamp-Based Rapid Thermal Annealing : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Yoo, W. ; Kang, K.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 381-388
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Selective Si:C Epitaxy in Recessed Areas and Characterization of the Material Properties : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Kim, Y. ; Ye, Z. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 409-418
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Chlorine Etching for In-Situ Low-Temperature Silicon Surface Cleaning for Epitaxy Applications : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Chung, K. H. ; Sturm, J. C.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 401-408
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Low-Temperature Nickel Silicide Formation on SiO2 Films with a Cl Plasma Containing NiCl : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Hirose, F. ; Fujiwara, N. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 279-286
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Thermodynamic Properties of Trace Water Vapor in High Purity Hydrogen Bromide used for Semiconductor Processing : Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for si-based CMOS 3: new materials, processes and equipment
    Yao, J. ; Olsen, E. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 309-320
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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