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    Radiation Effects in CCD on CMOS Devices: First Analysis of TID and DDD Effects.
    Marcelot, O. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2965-2970
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Displacement Damage Effects in Backside Illuminated CMOS Image Sensors.
    Liu, Bingkai ; Li, Yudong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2907-2914
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Displacement Damage Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Virmontois, Cedric ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2872-2877
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Total Ionizing Dose Versus Displacement Damage Dose Induced Dark Current Random Telegraph Signals in CMOS Image Sensors.
    Virmontois, Cedric ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 3085-3094
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Probing Dark Current Random Telegraph Signal in a Small Pitch Vertically Pinned Photodiode CMOS Image Sensor After Proton Irradiation.
    Antonsanti, Aubin ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1506-1514
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Phosphorus Versus Arsenic: Role of the Photodiode Doping Element in CMOS Image Sensor Radiation-Induced Dark Current and Random Telegraph Signal.
    Le Roch, Alexandre ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1241-1250
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Proton and Gamma Radiation Effects on a Fully Depleted Pinned Photodiode CMOS Image Sensor.
    Meng, Xiao ; Stefanov, Konstantin D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), Heft 6, S. 1107-1113
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Comparison of X-Ray and Electron Radiation Effects on Dark Current Non-Uniformity and Fluctuations in CMOS Image Sensors.
    Le Roch, Alexandre ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-02-01), Heft 2, S. 268-277
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Dose and Single-Event Effects on a Color CMOS Camera for Space Exploration.
    Virmontois, Cedric ; Belloir, Jean-Marc ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 104-110
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: Variation of Epitaxial Layer Thickness.
    Virmontois, Cedric ; Durnez, Clementine ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 38-44
    Online academicJournal
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    Modeling Approach for the Prediction of Transient and Permanent Degradations of Image Sensors in Complex Radiation Environments.
    Raine, Melanie ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4297-4304
    Online academicJournal
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    Hardening Approach to Use CMOS Image Sensors for Fusion by Inertial Confinement Diagnostics.
    Paillet, P. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4349-4355
    Online academicJournal
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    Similarities Between Proton and Neutron Induced Dark Current Distribution in CMOS Image Sensors.
    Virmontois, Cedric ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 927-936
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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