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    Radiation Hardening of Digital Color CMOS Camera-on-a-Chip Building Blocks for Multi-MGy Total Ionizing Dose Environments
    Marco Van Uffelen ; Rolando, Sébastien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, 2017
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
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    Multi-MGy Radiation Hardened CMOS Image Sensor: Design, Characterization and X/Gamma Rays Total Ionizing Dose Tests
    Marcandella, Claude ; Goiffon, Vincent ; et al.
    2015
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Comparison of X-Ray and Electron Radiation Effects on Dark Current Non-Uniformity and Fluctuations in CMOS Image Sensors
    Le Roch, A. ; Virmontois, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 268-277
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Multi-MGy Total Ionizing Dose Induced MOSFET Variability Effects on Radiation Hardened CMOS Image Sensor Performances
    Rizzolo, Serena ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: 2017 17th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), 2017-10-01, S. 1-4
    Konferenz
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    Random Telegraph Noises in CMOS Image Sensors Caused by Variable Gate-Induced Sense Node Leakage Due to X-Ray Irradiation
    Chao , C.Y. ; Wu , T.M. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 227-238
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Dark Current Blooming in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors
    Belloir, J. ; Lincelles, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-03-01), Heft 3, S. 1161-1166
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Radiation Effects in CCD on CMOS Devices: First Analysis of TID and DDD Effects
    Marcelot, O. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6, S. 2965-2970
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Multi-MGy Radiation Hard CMOS Image Sensor: Design, Characterization and X/Gamma Rays Total Ionizing Dose Tests
    Goiffon, V. ; Corbiere, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6, S. 2956-2964
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Influence of Transfer Gate Design and Bias on the Radiation Hardness of Pinned Photodiode CMOS Image Sensors
    Goiffon, V. ; Estribeau, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3290-3301
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Exploring the Kinetics of Formation and Annealing of Single Particle Displacement Damage in Microvolumes of Silicon
    Raine, M. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 2826-2833
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Hardening Approach to Use CMOS Image Sensors for Fusion by Inertial Confinement Diagnostics
    Paillet, P. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4349-4355
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Dark Current Random Telegraph Signals in Solid-State Image Sensors
    Virmontois, C. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4323-4331
    Online academicJournal
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    Modeling Approach for the Prediction of Transient and Permanent Degradations of Image Sensors in Complex Radiation Environments
    Raine, M. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4297-4304
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Displacement Damage Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors
    Virmontois, C. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2872-2877
    Online academicJournal
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    Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: Pixel Performance Degradation Due to Total Ionizing Dose
    Goiffon, V. ; Estribeau, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2878-2887
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Similarities Between Proton and Neutron Induced Dark Current Distribution in CMOS Image Sensors
    Virmontois, C. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-08-01), Heft 4, S. 927-936
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Total Ionizing Dose Versus Displacement Damage Dose Induced Dark Current Random Telegraph Signals in CMOS Image Sensors
    Virmontois, C. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 3085-3094
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Analysis of Total Dose-Induced Dark Current in CMOS Image Sensors From Interface State and Trapped Charge Density Measurements
    Goiffon, V. ; Virmontois, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3087-3094
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Displacement Damage Effects Due to Neutron and Proton Irradiations on CMOS Image Sensors Manufactured in Deep Submicron Technology
    Virmontois, C. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3101-3108
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Radiation Hardening of Digital Color CMOS Camera-on-a-Chip Building Blocks for Multi-MGy Total Ionizing Dose Environments
    Goiffon, V. ; Rolando, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, S. 45-45
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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