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    Temperature Dependence of MCU Sensitivity in 65 nm CMOS SRAM.
    Boruzdina, Anna B. ; Sogoyan, Armen V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2860-2866
    Online academicJournal
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    Radiation-Hardening Technique for Voltage Reference Circuit in a Standard 130 nm CMOS Technology.
    Piccin, Y. ; Lapuyade, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-03-01), Heft 2, S. 967-974
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Radiation Tolerance of Devices and Circuits in a 3D Technology Based on the Vertical Integration of Two 130-nm CMOS Layers.
    Re, Valerio ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4526-4532
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    CMOS Differential and Amplified Dosimeter with Field Oxide N-Channel MOSFETs.
    Carbonetto, S. ; GarcianInza, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3466-3471
    Online academicJournal
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    Mechanisms of Noise Degradation in Low Power 65 nm CMOS Transistors Exposed to Ionizing Radiation.
    Re, Valerio ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3071-3077
    Online academicJournal
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    Comprehensive Study of Total Ionizing Dose Damage Mechanisms and Their Effects on Noise Sources in a 90 nm CMOS Technology.
    Re, Valerio ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 3272-3279
    Online academicJournal
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    Assessment of a Low-Power 65 nm CMOS Technology for Analog Front-End Design.
    Manghisoni, Massimo ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-02-20), Heft 1, S. 553-560
    Online academicJournal
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    Survey of noise performances and scaling effects in deep submicrometer CMOS devices from different foundries.
    Re, Valerio ; Manghisoni, Massimo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-12-02), Heft 6, S. 2733-2740
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Digital Monolithic Active Pixel Sensor Chip in a Quadruple-Well CIS Process for Tracking Applications.
    Degerli, Y. ; Bertolone, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-08-22), Heft 5, S. 3899-3906
    Online academicJournal
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Total Dose Effects in Tunnel-Diode Body-Contact SOI nMOSFETs.
    Luo, Jiexin ; Chen, Jing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3018-3022
    Online academicJournal
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    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    MOSFET optimization in deep submicron technology for charge amplifiers.
    De Geronimo, Gianluigi ; O'Connor, Paul
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-12-02), Heft 6, S. 3223-3232
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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