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    Texture and Crystallinity Development in Ultra-thin HfO~2 Films Studied by Electron Microscopy : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Bohra, F. ; Jiang, B. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 58-63
    Konferenz
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    Scaling of Hafnium-Based High-k Dielectrics : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Triyoso, D.H. ; Hedge, R.I. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 41-51
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impact of Interfacial Nitridation of HfO~2 High-k Gate Dielectric Stack on 4H-SiC : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Mahapatra, R. ; Chakraborty, A.K. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 163-168
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    IBA of Ordered Ultra-thin SiO~2 Grown on (1x1) Si(100) : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Herbots, N. ; Bradley, J.D. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 103-108
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Comparative Study of Electronic Properties of Point Defects in Monoclinic Hafnium Dioxide : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Cuny, V. ; Richard, N.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 92-97
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Electrical Characterization of High-k Dielectrics by Means of Flat-Band Voltage Transient Recording : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Duenas, S. ; Castan, H. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 169-174
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    X-Ray Reflectometry Determination of Structural Information from Atomic Layer Deposition Nanometer-Scale Hafnium Oxide Thin Films : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Windover, D. ; Gil, D.L. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 151-156
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    In-Situ Infrared Absorption Monitoring of Atomic Layer Deposition of Metal Oxides on Functionalized Si and Ge Surfaces : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Dai, M. ; Kwon, J. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 145-150
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Atomic-scale Characterization of HF-treated 4H-SiC(0001) 1x1 Surfaces by Scanning Tunneling Microscopy : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Arima, K. ; Hara, H. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 157-162
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Impact of Additives on the Microstructure of Hafnium-based High-k Dielectrics : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Gregory, R.B. ; Triyoso, D.H. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 139-144
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of Local Coordination and Electronic Structure of Dielectric Thin Films from Theoretical Energy-Loss Spectra : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Singh, M.K. ; Rosado, J. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 121-126
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Study of Atomic Layer Deposited Gadolinium Oxide Thin Films on Silicaon : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Duenas, S. ; Castan, H. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 133-138
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    The Electrical Characterization of Molecular-Beam-Deposited LaAlO~3 on GaAs and its Annealing Effects : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Choi, D. ; Warusawithana, M. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 127-132
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A New 3D Multistring Code to Identify Compound Oxide Nanophase with Ion Channeling : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Bradley, J.D. ; Herbots, N. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 109-114
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Electron-Stimulated Desorption of H/D from Silicon Surface with Homogeneous Electron Injection : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Mori, T. ; Watanabe, S.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 81-85
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Al-Oxynitride Buffer Layer Facilities for PrO~x/SiC Interfaces : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Henkel, K. ; Sohal, R. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 115-120
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Effect of Oxidizer on Chemical Vapor Deposited Hafnium Oxide-Based Nanostructures and the Engineering of their Interfaces with Si(100) : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Singh, M.K. ; Katamreddy, R. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 98-102
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Effect of Systematic Changes of Ti and Hf Si-oxynitride Alloys by Nitrogen Incorporation as a Bond Constraint on Electrical and Material Properties : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Lee, S. ; Lucovsky, G. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 52-57
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Structural and Electronic Properties of Oxygen Vacancies in Monoclinic HfO~2 : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Broqvist, P. ; Pasquarello, A.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 26-31
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Hydrogen Interaction with Point Defects in the Si-SiO~2 System and its Influence on the Interface Properties : Characterization of oxide/semiconductor interfaces for CMOS technologies
    Kropman, D. ; Mellikov, E. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 996 (2007), S. 86-91
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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