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    Evaluation of the Radiation Hardness of Photodiodes in 180-nm CMOS Technology for Medical Applications.
    Segmanovic, Filip ; Meinhardt, Gerald ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 2367-2374
    Online academicJournal
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    Annealing Effects on Radiation-Hardened CMOS Image Sensors Exposed to Ultrahigh Total Ionizing Doses.
    Dewitte, H. ; Rizzolo, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1284-1292
    Online academicJournal
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    ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk CMOS Technology.
    Chen, Jianjun ; Chi, Yaqing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 1141-1147
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors.
    Borghello, Giulio ; Faccio, Federico ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 573-580
    Online academicJournal
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    Characterization of Single-Event Transient Pulse Quenching among Dummy Gate Isolated Logic Nodes in 65 nm Twin-Well and Triple-Well CMOS Technologies.
    Jianjun, Chen ; Shuming, Chen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-10-15), Heft 5b, S. 2302-2309
    Online academicJournal
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    DCR Performance in Neutron-Irradiated CMOS SPADs From 150- to 180-nm Technologies.
    Ratti, L. ; Brogi, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1293-1301
    Online academicJournal
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    A Single-Event Transient-Tolerant High-Frequency CMOS Quadrature Phase Oscillator.
    Jagtap, Sharayu ; Anmadwar, Saurabh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-09-01), Heft 9, S. 2072-2079
    Online academicJournal
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    Signal and Noise Performance of a 110-nm CMOS Technology for Photon Science Applications.
    Traversi, Gianluca ; Dinapoli, Roberto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-04-01), Heft 4, S. 752-759
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Impacts of Proton Radiation on Heavy-Ion-Induced Single-Event Transients in 65-nm CMOS Technology.
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 177-183
    Online academicJournal
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    Power-Aware SE Analysis of Different FF Designs at the 14-/16-nm Bulk FinFET CMOS Technology Node.
    Jiang, H. ; Zhang, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1866-1871
    Online academicJournal
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    65-nm CMOS Front-End Channel for Pixel Readout in the HL-LHC Radiation Environment.
    Ratti, Lodovico ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-12-01), Heft 12, S. 2922-2932
    Online academicJournal
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    Design and Characterization of a Low-Noise Front-End Readout ASIC in 0.18- $\mu$ m CMOS Technology for CZT/Si-PIN Detectors.
    Gao, W. ; Li, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-05-01), Heft 5, S. 1203-1211
    Online academicJournal
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    Radiation and High-Voltage Tolerant Space CAN Driver in Standard Low-Voltage 3.3-V CMOS Technology.
    Jansen, R. J. E. ; Lindner, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8 Part 1, S. 2204-2211
    Online academicJournal
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    Logic-I/O Threshold Comparing $\gamma$-Dosimeter in Radiation Insensitive Deep-Sub-Micron CMOS.
    Tang, Adrian ; Kim, Yangyho ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-04-20), Heft 2c, S. 1247-1250
    Online academicJournal
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    Single-Event Upset Characterization Across Temperature and Supply Voltage for a 20-nm Bulk Planar CMOS Technology.
    Kauppila, J. S. ; Kay, W. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2613-2619
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    An Investigation of the SET Response of Devices and Differential Pairs in a 32-nm SOI CMOS Technology.
    Fleetwood, Zachary E. ; Lourenco, Nelson E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2643-2649
    Online academicJournal
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    Single-Event Latchup Modeling Based on Coupled Physical and Electrical Transient Simulations in CMOS Technology.
    Artola, L. ; Hubert, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3543-3549
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    Radiation-Hardening Technique for Voltage Reference Circuit in a Standard 130 nm CMOS Technology.
    Piccin, Y. ; Lapuyade, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-03-01), Heft 2, S. 967-974
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Assessment of a Low-Power 65 nm CMOS Technology for Analog Front-End Design.
    Manghisoni, Massimo ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-02-20), Heft 1, S. 553-560
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    Radiation Tolerance of Devices and Circuits in a 3D Technology Based on the Vertical Integration of Two 130-nm CMOS Layers.
    Re, Valerio ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4526-4532
    Online academicJournal
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