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    ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk CMOS Technology.
    Chen, Jianjun ; Chi, Yaqing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 1141-1147
    Online academicJournal
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    Impacts of Proton Radiation on Heavy-Ion-Induced Single-Event Transients in 65-nm CMOS Technology.
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 177-183
    Online academicJournal
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    Signal and Noise Performance of a 110-nm CMOS Technology for Photon Science Applications.
    Traversi, Gianluca ; Dinapoli, Roberto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-04-01), Heft 4, S. 752-759
    Online academicJournal
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    Radiation and High-Voltage Tolerant Space CAN Driver in Standard Low-Voltage 3.3-V CMOS Technology.
    Jansen, R. J. E. ; Lindner, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8 Part 1, S. 2204-2211
    Online academicJournal
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    65-nm CMOS Front-End Channel for Pixel Readout in the HL-LHC Radiation Environment.
    Ratti, Lodovico ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-12-01), Heft 12, S. 2922-2932
    Online academicJournal
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    Logic-I/O Threshold Comparing $\gamma$-Dosimeter in Radiation Insensitive Deep-Sub-Micron CMOS.
    Tang, Adrian ; Kim, Yangyho ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-04-20), Heft 2c, S. 1247-1250
    Online academicJournal
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    Single-Event Upset Characterization Across Temperature and Supply Voltage for a 20-nm Bulk Planar CMOS Technology.
    Kauppila, J. S. ; Kay, W. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2613-2619
    Online academicJournal
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    Radiation-Hardening Technique for Voltage Reference Circuit in a Standard 130 nm CMOS Technology.
    Piccin, Y. ; Lapuyade, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-03-01), Heft 2, S. 967-974
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Radiation Tolerance of Devices and Circuits in a 3D Technology Based on the Vertical Integration of Two 130-nm CMOS Layers.
    Re, Valerio ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4526-4532
    Online academicJournal
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    A 4.5 MGy TID-Tolerant CMOS Bandgap Reference Circuit Using a Dynamic Base Leakage Compensation Technique.
    Cao, Ying ; De Cock, Wouter ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-10), Heft 4, S. 2819-2824
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 4.5 MGy TID-Tolerant CMOS Bandgap Reference Circuit Using a Dynamic Base Leakage Compensation Technique.
    Cao, Ying ; De Cock, Wouter ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-01), Heft 4, S. 2819-2824
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    High-Speed, Radiation-Tolerant Laser Drivers in 0.13 \mum CMOS Technology for HEP Applications.
    Mazza, Giovanni ; Tavernier, Filip ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-02), Heft 6, S. 3653-3659
    Online academicJournal
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    Heavy Ion Characterization and Monte Carlo Simulation on 32 nm CMOS Bulk Technology.
    Uznanski, Slawosz ; Gasiot, Gilles ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2652-2657
    Online academicJournal
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    Charge Signal Processors in a 130 nm CMOS Technology for the Sparse Readout of Small Pitch Monolithic and Hybrid Pixel Sensors.
    Traversi, Gianluca
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-10-15), Heft 5, S. 2391-2400
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Comprehensive Study of Total Ionizing Dose Damage Mechanisms and Their Effects on Noise Sources in a 90 nm CMOS Technology.
    Re, Valerio ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 3272-3279
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Impact of Circuit Placement on Single Event Transients in 65 nm Bulk CMOS Technology.
    Yibai, He ; Shuming, Chen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2772-2777
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    An Investigation of the SET Response of Devices and Differential Pairs in a 32-nm SOI CMOS Technology.
    Fleetwood, Zachary E. ; Lourenco, Nelson E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2643-2649
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Single-Event Latchup Modeling Based on Coupled Physical and Electrical Transient Simulations in CMOS Technology.
    Artola, L. ; Hubert, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3543-3549
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Single-Event Charge Collection and Upset in 40-nm Dual- and Triple-Well Bulk CMOS SRAMs.
    Chatterjee, Indranil ; Narasimham, Balaji ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2761-2767
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    Space Dosimeters Based on CMOS SSPM Technology.
    Chen, Xiao Jie ; Johnson, Erik B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3450-3455
    Online academicJournal
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