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    Part I: Physical Insights Into the Two-Stage Breakdown Characteristics of STI-Type Drain-Extended pMOS Device.
    Tailor, Ketankumar H. ; Shrivastava, Mayank ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 12, S. 4097-4104
    Online academicJournal
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    Volltext
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    STI Crater Defect Reduction for Semiconductor Device Yield Improvement.
    Liang, Li ; Song, Rao Xue ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 26 (2013-08-01), Heft 3, S. 335-338
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A Low Dark Leakage Current High-Sensitivity CMOS Image Sensor With STI-Less Shared Pixel Design.
    Seo, Min-Woong ; Kawahito, Shoji ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-06-01), Heft 6, S. 2093-2097
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A Two-Dimensional Analysis Method on STI-Aware Layout-Dependent Stress Effect.
    Li, Xiaojian ; Ye, Zuochang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-11-01), Heft 11, S. 2964-2972
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Ultrathin DPN STI SiON liner for 40nm low-power CMOS technology
    Hu, Chan-Yuan ; Chen, Jone F. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-05-01), Heft 5, S. 564-567
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of STI Edge Effects on CMOS Variability.
    Wils, Nicole ; Tuinhout, Hans P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 22 (2009-02-01), Heft 1, S. 59-65
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    STI-to-gate distance effects on flicker noise characteristics in 0.13μm CMOS
    Chan, Chih-Yuan ; Huang, Yen-Chun ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-08-01), Heft 8, S. 1182-1187
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Part II: Design of Well Doping Profile for Improved Breakdown and Mixed-Signal Performance of STI-Type DePMOS Device.
    Tailor, Ketankumar H. ; Shrivastava, Mayank ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 12, S. 4105-4113
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Breakdown Voltage Model and Electrical Characteristics of CMOS Compatible RESURF STI Drain Extended MOS Transistors.
    Tsai, Hung-Chih ; Yadav, Yogendra ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-06-01), Heft 6, S. 1958-1963
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Investigation of STI edge effect on programming disturb in localized charge trapping SONOS flash memory cells
    Xu, Yue ; Yan, Feng ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 52 (2012-07-01), Heft 7, S. 1337-1341
    academicJournal
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    A Framework for Layout-Dependent STI Stress Analysis and Stress-Aware Circuit Optimization.
    Xue, Jiying ; Deng, Yangdong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 20 (2012-03-01), Heft 3, S. 498-511
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    The sensitivity of radiation-induced leakage to STI topology and sidewall doping
    Rezzak, Nadia ; Alles, Michael L. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 51 (2011-05-01), Heft 5, S. 889-894
    academicJournal
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    Shallow Trench Isolation for the 45-nm CMOS Node and Geometry Dependence of STI Stress on CMOS Device Performance.
    Tilke, Armin T. ; Stapelmann, Chris ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 20 (2007-05-01), Heft 2, S. 59-67
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Electrical reliability of highly reliable 256M-bit mobile DRAM with top-edge round STI and dual gate oxide
    Lee, Chihoon ; Park, Donggun ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 43 (2003-05-01), Heft 5, S. 735-739
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Characterization of the transient behavior of gated/STI diodes and their associated BJT in the CDM time domain
    Manouvrier, Jean-Robert ; Fonteneau, Pascal ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 49 (2009-12-01), Heft 12, S. 1424-1432
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes.
    A V Oliveira ; Simoen, E ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 31 (2016-11-01), Heft 11, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A Novel Lateral DMOS Transistor With H-Shape Shallow-Trench-Isolation Structure.
    Liu, Siyang ; Ye, Ran ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-11-01), Heft 11, S. 5218-5221
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The use of interface-sensitive test structure comprising of shallow trench isolation as a tool for analyzing the quality of Si–SiO2 interfaces.
    Kaminski, Yelena ; Shauly, Eitan ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 44 (2016-03-15), S. 64-70
    academicJournal
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    Compact Design of Low Power Standard Ternary Inverter Based on OFF-State Current Mechanism Using Nano-CMOS Technology.
    Shin, Sunhae ; Jang, Esan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-08-01), Heft 8, S. 2396-2403
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Modeling Low Dose Rate Effects in Shallow Trench Isolation Oxides.
    Esqueda, Ivan S. ; Barnaby, Hugh J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2945-2952
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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