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    ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk CMOS Technology.
    Chen, Jianjun ; Chi, Yaqing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 1141-1147
    Online academicJournal
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    A 1- μ W Radiation-Hard Front-End in a 0.18- μ m CMOS Process for the MALTA2 Monolithic Sensor.
    Piro, F. ; Allport, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 1299-1309
    Online academicJournal
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    Fixed Pattern Noise and Temporal Noise Degradation Induced by Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Wang, Zujun ; Xue, Yuanyuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-06-01), Heft 6, S. 1264-1270
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Body-Biasing Technique for Single-Event Transient Mitigation in 28-nm Bulk CMOS Process.
    Liu, Jingtian ; Liang, Bin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 2717-2723
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A 2.56-GHz SEU Radiation Hard $LC$ -Tank VCO for High-Speed Communication Links in 65-nm CMOS Technology.
    Prinzie, Jeffrey ; Christiansen, Jorgen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 407-412
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Impacts of Proton Radiation on Heavy-Ion-Induced Single-Event Transients in 65-nm CMOS Technology.
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 177-183
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Hardening Approach to Use CMOS Image Sensors for Fusion by Inertial Confinement Diagnostics.
    Paillet, P. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4349-4355
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Radiation Hardness Comparison of CMOS Image Sensor Technologies at High Total Ionizing Dose Levels.
    Rizzolo, Serena ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 111-119
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    An SRAM-Based Radiation Monitor With Dynamic Voltage Control in 0.18- $\mu$ m CMOS Technology.
    Prinzie, Jeffrey ; Thys, Sam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 282-289
    Online academicJournal
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    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Parameters determination and sensor correction method based on virtual CMOS with distortion for the GaoFen6 WFV camera.
    Wang, Mi ; Cheng, Yufeng ; et al.
    In: ISPRS Journal of Photogrammetry & Remote Sensing, Jg. 156 (2019-10-01), S. 51-62
    academicJournal
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    Signal and Noise Performance of a 110-nm CMOS Technology for Photon Science Applications.
    Traversi, Gianluca ; Dinapoli, Roberto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-04-01), Heft 4, S. 752-759
    Online academicJournal
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    Temperature-Compensated MOS Dosimeter Fully Integrated in a High-Voltage 0.35 μm CMOS Process.
    Carbonetto, Sebastian ; Echarri, Martin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), Heft 6, S. 1118-1124
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Circuit-Level Layout-Aware Modeling of Single-Event Effects in 65-nm CMOS ICs.
    Balbekov, Anton O. ; Gorbunov, Maxim S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1914-1919
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The MONDO Detector Prototype Development and Test: Steps Toward an SPAD-CMOS-Based Integrated Readout (SBAM Sensor).
    Mirabelli, R. ; Gasparini, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-02-01), Heft 2, S. 744-751
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Total Ionizing Dose Radiation-Induced Dark Current Random Telegraph Signal in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Durnez, Clementine ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 92-100
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Total-Ionizing Dose Effects on Charge Transfer Efficiency and Image Lag in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Rizzolo, Serena ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 84-91
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Radiation and High-Voltage Tolerant Space CAN Driver in Standard Low-Voltage 3.3-V CMOS Technology.
    Jansen, R. J. E. ; Lindner, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8 Part 1, S. 2204-2211
    Online academicJournal
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    Total Ionizing Dose Effects on a Radiation-Hardened CMOS Image Sensor Demonstrator for ITER Remote Handling.
    Goiffon, Vincent ; Rizzolo, Serena ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 101-110
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A novel CMOS image sensor system for quantitative loop-mediated isothermal amplification assays to detect food-borne pathogens.
    Wang, Tiantian ; Kim, Sanghyo ; et al.
    In: Journal of Microbiological Methods, Jg. 133 (2017-02-01), S. 1-7
    academicJournal
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    Development of the “GP2” Detector: Modification of the PImMS CMOS Sensor for Energy-Resolved Neutron Radiography.
    Pooley, D. E. ; Lee, J. W. L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-12-01), Heft 12, S. 2970-2981
    Online academicJournal
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