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    TCAD-Based Assessment of the Lateral GAA Nanosheet Transistor for Future CMOS.
    Huang, Ya-Chi ; Chiang, Meng-Hsueh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 6586-6591
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Antifuse OTP Cell in a Cross-Point Array by Advanced CMOS FinFET Process.
    Kuo, Ren-Jay ; Chang, Fu-Cheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-04-01), Heft 4, S. 1729-1733
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Out-of-Plane Strain Effects on Physically Flexible FinFET CMOS.
    Ghoneim, Mohamed T. ; Alfaraj, Nasir ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-07-01), Heft 7, S. 2657-2664
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Total Ionizing Dose Hardened and Mitigation Strategies in Deep Submicrometer CMOS and Beyond.
    Chatzikyriakou, Eleni ; Morgan, Katrina ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 808-819
    Online academicJournal
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    Volltext
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    FinFET Evolution Toward Stacked-Nanowire FET for CMOS Technology Scaling.
    Zheng, Peng ; Connelly, Daniel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 12, S. 3945-3950
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Innovative Materials, Devices, and CMOS Technologies for Low-Power Mobile Multimedia.
    Skotnicki, Thomas ; Fenouillet-Beranger, Claire ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008), Heft 1, S. 96-130
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Considerations for Ultimate CMOS Scaling.
    Kuhn, Kelin J.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-07-01), Heft 7, S. 1813-1828
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Grain-Orientation Induced Quantum Confinement Variation in FinFETs and Multi-Gate Ultra-Thin Body CMOS Devices and Implications for Digital Design.
    Rasouli, Seid Hadi ; Endo, Kazuhiko ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-08-01), Heft 8, S. 2282-2292
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Predictive Simulation and Benchmarking of Si and Ge pMOS FinFETs for Future CMOS Technology.
    Shifren, Lucian ; Aitken, Robert ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-07-01), Heft 7, S. 2271-2277
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Considerations for Static Energy Reduction in Digital CMOS ICs Using NEMS Power Gating.
    Sankar, Sivaneswaran ; Kumar, Ulayil Sajesh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-03-01), Heft 3, S. 1399-1403
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A Three-Dimensional Stacked Fin-CMOS. Technology for High-Density ULSI Circuits.
    Wu, Xusheng ; Chan, Philip C. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-09-01), Heft 9, S. 1998-2003
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Gate-First Integration of Tunable Work Function Metal Gates of Different Thicknesses Into High-κ/Metal Gates CMOS FinFETs for Multi-V<subscript>Th</subscript> Engineering.
    Hussain, Muhammad Mustafa ; Smith, Casey E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-03-01), Heft 3, S. 626-631
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Compact Physical Model for Yield Under Gate Length and Body Thickness Variations in Nanoscale Double-Gate CMOS.
    Ananthan, Elan ; Roy, Kaushik
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-09-01), Heft 9, S. 2151-2159
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Investigations on Line-Edge Roughness (LER) and Line-Width Roughness (LWR) in Nanoscale CMOS Technology: Part II–Experimental Results and Impacts on Device Variability.
    Wang, Runsheng ; Jiang, Xiaobo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-11-01), Heft 11, S. 3676-3682
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Eight-FinFET Fully Differential SRAM Cell With Enhanced Read and Write Voltage Margins.
    Salahuddin, Shairfe Muhammad ; Chan, Mansun
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-06-01), Heft 6, S. 2014-2021
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    On-Wafer Electron Beam Detectors by Floating-Gate FinFET Technologies.
    Wang, Shi Jiun ; Yang, Chih-An ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 4651-4655
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    FinFET External Resistance Analysis by Extended Shift-and-Ratio Method.
    Zhang, Chen ; Liu, Zuoguang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 3127-3130
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Impact of Line-Edge Roughness on FinFET Matching Performance.
    Baravelli, Emanuele ; Dixit, Abhisek ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-09-01), Heft 9, S. 2466-2474
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    3-D Quasi-Atomistic Model for Line Edge Roughness in Nonplanar MOSFETs.
    Oh, Sangheon ; Shin, Changhwan
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 12, S. 4617-4623
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    LaSiO x - and Al 2 O 3 -Inserted Low-Temperature Gate-Stacks for Improved BTI Reliability in 3-D Sequential Integration.
    Wu, Zhicheng ; Franco, Jacopo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 915-921
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