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    Reliability challenges in CMOS technology: A manufacturing process perspective.
    Teng, Qiao ; Hu, Yongkang ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 281 (2023-09-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermal stress analysis for a CMOS-MEMS microphone with various metallization and materials.
    Lu, Chun-Lin ; Yeh, Meng-Kao
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 213 (2019-05-15), S. 47-54
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Performance comparison of vertically stacked nanosheet CFET and standard CMOS without and with parasitic channels.
    Li, Jiawei ; Zhao, Mengqing ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 279 (2023-07-15), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication and characterization of a hammer-shaped CMOS/BEOL-embedded nanoelectromechanical (NEM) relay.
    Riverola, M. ; Uranga, A. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 192 (2018-05-15), S. 44-51
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A direct-write microfluidic fabrication process for CMOS-based Lab-on-Chip applications
    Ghafar-Zadeh, Ebrahim ; Sawan, Mohamad ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-10-01), Heft 10, S. 2104-2109
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Opportunities and challenges for Ge CMOS - Control of interfacing field on Ge is a key (Invited Paper)
    Toriumi, Akira ; Tabata, Toshiyuki ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-07-01), Heft 7-9, S. 1571-1576
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Molecular beam epitaxy passivation studies of Ge and III-V semiconductors for advanced CMOS
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-07-01), Heft 7-9, S. 1592-1595
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design and testing of a self-powered 3D integrated SOI CMOS system
    Dilli, Z. ; Goldsman, N. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 85 (2008-02-01), Heft 2, S. 388-394
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A maskless wet etching silicon dioxide post-CMOS process and its application
    Dai, Ching-Liang
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-11-01), Heft 11-12, S. 2543-2550
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Piezoresistive cantilevers in a commercial CMOS technology for intermolecular force detection
    Villanueva, Guillermo ; Perez-Murano, Francesc ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-04-01), Heft 4-9, S. 1302-1305
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    3D Integration of CMOS transistors with ICV-SLID technology
    Wieland, Robert ; Bonfert, Detlef ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 82 (2005-12-01), Heft 3-4, S. 529-533
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Integrating ENSEMBLEa'cents PMD low-k at the PMD level of CMOS logic circuits
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-11-01), Heft 11-12, S. 2303-2308
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Compatibility of Hf.sub.x Ta.sub.y N metal gate electrode with HfO.sub.x N.sub.y gate dielectric for advanced CMOS technology
    Chang-Liao, Kuei-Shu ; Chang, Hsin-Chun ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-11-01), Heft 11-12, S. 2516-2521
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Scaling potential of pin-type 3-D SBT ferroelectric capacitors integrated in 0.18[mu]m CMOS technology
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-10-01), Heft 10, S. 2027-2031
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Nanoscale TiN metal gate technology for CMOS integration
    Lemme, M.C. ; Efavi, J.K. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-04-01), Heft 4-9, S. 1551-1554
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Ni fully silicided gates for 45nm CMOS applications
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 82 (2005-12-01), Heft 3-4, S. 441-448
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Ni-salicided CMOS with a poly-SiGe/Al.sub.2O.sub.3/HfO.sub.2/Al.sub.2O.sub.3 gate stack
    Wu, D. ; Von Haartman, M. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 77 (2005), Heft 1, S. 36-41
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Si/Si.sub.1-xGe.sub.x heterostructure field effect transistors fabricated using a low thermal budget CMOS process
    Dunford, R.B. ; Paul, D.J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 53 (2000-06-01), Heft 1-4, S. 209-212
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Polycrystalline silicon gate originated CMOS device failure investigated by Scanning Spreading Resistance Microscopy.
    Doering, Stefan ; Wachowiak, Andre ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 142 (2015-07-01), S. 40-46
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    CMOS–MEMS resonators: From devices to applications.
    Uranga, A. ; Verd, J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 132 (2015-01-25), S. 58-73
    academicJournal
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