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    Modeling Silicon Cylindrical CMOS Nanotransistors with a Fully Enclosed Variable-Radius Gate.
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-08-01), Heft 4, S. 220-225
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Charge Collection by CMOS Transistors from Tracks of Single Particles Passing through Layer of Shallow Trench Isolation.
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-06-01), Heft 3, S. 181-191
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Prospects for using submicron CMOS VLSI in fault-tolerant equipment operating under exposure to atmospheric neutrons
    Betelin, V. B. ; Baranov, S. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 38 (2009), Heft 1, S. 43-47
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Operability analysis of submicron CMOS-based VLSI RAMs operated under extreme thermal conditions
    Krasnyuk, A. A. ; Stenin, V. Ya. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 38 (2009), Heft 1, S. 48-57
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    The use of stressed silicon in MOS transistors and CMOS structures
    Neizvestnyi, I. G. ; Gridchin, V. A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 38 (2009-03-01), Heft 2, S. 71-86
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Fully depleted SOI CMOS logic gates for low-voltage applications
    Masal'skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 37 (2008-11-01), Heft 6, S. 410-417
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Simulating the response of SOS CMOS building blocks to pulsed ionizing irradiation
    Kirgizova, A. V. ; Skorobogatov, P. K. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 37 (2008), Heft 1, S. 25-40
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Electrically programmable nonvolatile memory in CMOS technology.
    Ermakov, I. ; Shelepin, N.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-12-01), Heft 7, S. 449-452
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Simulation of the Characteristics of Double-Gate Asymmetrically Doped SOI CMOS Nanotransistors.
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-07-01), Heft 4, S. 259-267
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Investigating the Dynamic Characteristics of High-Temperature SOI CMOS VLSIC Elements.
    Benediktov, A. S. ; Shelepin, N. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-05-01), Heft 3, S. 197-200
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A System for Logical Design of Custom CMOS VLSI Functional Blocks with Reduced Power Consumption.
    Bibilo, P. N. ; Avdeev, N. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018), Heft 1, S. 65-81
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigation of the features of integrating nonvolatile FRAM elements with CMOS technology.
    Orlov, O. ; Voronov, D. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-09-01), Heft 5, S. 353-358
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Simulation of the potential distribution in an inhomogeneously doped workspace of a double-gate SOI CMOS nanotransistor.
    Masal'skii, N.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-03-01), Heft 2, S. 139-148
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    320 × 240 CMOS array for the spectral range of 3-5 μm based on PtSi photodiodes.
    Belin, A. ; Zolotarev, V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 45 (2016-12-01), Heft 7, S. 474-477
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Simulation of the characteristics of the DICE 28-nm CMOS cells in unsteady states caused by the effect of single nuclear particles.
    Stenin, V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-09-01), Heft 5, S. 324-334
    Online academicJournal
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    Noise immunity of a 28-nm two-phase CMOS combinational logic to transient effects of single nuclear particles.
    Katunin, Yu. ; Stenin, V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-07-01), Heft 4, S. 255-262
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Error correction coding for 28-nm CMOS two-phase logic elements.
    Katunin, Yu. ; Levin, K.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-07-01), Heft 4, S. 263-268
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Limitations and prospects of using the two-phase CMOS logics in upset-immune sub-100-nm VLSIs.
    Stenin, V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 43 (2014-03-01), Heft 2, S. 102-111
    Online academicJournal
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    Modeling the characteristics of trigger elements of two-phase CMOS logic, taking into account the charge sharing effect under exposure to single nuclear particles.
    Katunin, Yu. ; Stenin, V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 43 (2014-03-01), Heft 2, S. 112-124
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Error-correction coding in CMOS RAM resistant to the effect of single nuclear particles.
    Petrov, K. ; Stenin, V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-09-01), Heft 5, S. 316-323
    Online academicJournal
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