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    Electrical properties and thermal stability of MOCVD grown Ru gate electrodes for advanced CMOS technology
    A[currency]apajna, M. ; HuA ekova, K. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-11-01), Heft 11-12, S. 2412-2416
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Accurate electrical activation characterization of CMOS ultra-shallow profiles
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 114-115 (2004-12-15), S. 166-173
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Non-Faradaic electrochemical detection of protein interactions by integrated neuromorphic CMOS sensors
    Jacquot, Blake C. ; MuA[+ or -]oz, Nini ; et al.
    In: Biosensors and Bioelectronics, Jg. 23 (2008-05-15), Heft 10, S. 1503-1511
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Examination and evaluation of La.sub.2O.sub.3 as gate dielectric for sub-100nm CMOS and DRAM technology
    Capodieci, V. ; Wiest, F. ; et al.
    In: Microelectronics and Reliability, Jg. 45 (2005-05-01), Heft 5-6, S. 937-940
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Nanoscale electrical characterization of ultrathin high-k dielectric MOS stacks: A conducting AFM study
    Uppal, H.J. ; Bernardini, S. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 11 (2008-10-01), Heft 5, S. 250-253
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural and surface properties of Si.sub.1-x Ge.sub.x thin films obtained by reduced pressure CVD
    Teixeira, R.C. ; Doi, I. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 254 (2007-10-31), Heft 1, S. 207-212
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Growth of gadolinium oxide films for advanced MOS structure
    Luptak, R. ; Frohlich, K. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 80 (2005-06-17), S. 154-157
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
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