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    Data on Engineering Published by Researchers at Inha University [A +/-0.48 C (3s) Inaccuracy BJT-Based Temperature Sensor With 241 ms Conversion Time for Display Driver IC in 40 nm CMOS]
    In: Journal of Engineering, 2023-12-18, S. 365
    Zeitungsartikel
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    Studies from University of Alberta Describe New Findings in Quantum Dots (Near-Infrared CMOS Image Sensors Enabled by Colloidal Quantum Dot-Silicon Heterojunction)
    In: Nanotechnology Weekly, 2023-07-03, S. 2048
    Zeitungsartikel
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    University of New South Wales Reports Findings in Quantum Dots (Combining n-MOS Charge Sensing with p-MOS Silicon Hole Double Quantum Dots in a CMOS platform)
    In: Physics Week, 2023-02-21, S. 1841
    Zeitungsartikel
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    Institute of Electronics Researchers Report Recent Findings in CMOS Technology (Study on CDM ESD Robustness Among On-Chip Decoupling Capacitors in CMOS Integrated Circuits)
    In: Journal of Engineering, 2021-10-25, S. 766
    Zeitungsartikel
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    Data on Lab-on-a-Chip Discussed by Researchers at University of the Balearic Islands (Cmos-mems Voc Sensors Functionalized Via Inkjet Polymer Deposition for High-sensitivity Acetone Detection)
    In: Journal of Engineering, 2021-08-16, S. 748
    Zeitungsartikel
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    Recent Findings from KTH Royal Institute of Technology Provides New Insights into Applied Sciences (The Challenges of Advanced CMOS Process from 2D to 3D)
    In: Science Letter, 2017-12-01, S. 1104
    Zeitungsartikel
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    New Electrical Engineering Data Have Been Reported by Researchers at Prince Sattam Bin Abdulaziz University (Low-noise and Low Power Cmos Photoreceptor Using Split-length Mosfet)
    In: Journal of Engineering, 2020-03-02, S. 1333
    Zeitungsartikel
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    Investigators from Sharif University of Technology Zero in on Circuits and Signal Processing (CMOS integrated delay chain for X-Ku band applications)
    In: Journal of Engineering, 2020-01-13, S. 621
    Zeitungsartikel
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    Investigators at Indian Institute of Technology Discuss Findings in CMOS Technology (Quantification of the Likelihood of Single Event Multiple Transients In Logic Circuits In Bulk Cmos Technology)
    In: Journal of Engineering, 2019-02-25, S. 592
    Zeitungsartikel
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Investigators at Hong Kong University of Science and Technology Report Findings in Sensor Research (Fully Integrated Bidirectional Cmos-mems Flow Sensor With Low Power Pulse Operation)
    In: Journal of Technology & Science, 2019-05-26, S. 921
    Zeitungsartikel
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Recent Research from Technion-Israel Institute of Technology Highlight Findings in Sensor Research (Study of Cmos-soi Integrated Temperature Sensing Circuits for On-chip Temperature Monitoring)
    In: Journal of Engineering, 2019-04-08, S. 2197
    Zeitungsartikel
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    Report Summarizes Nanoelectronics and Optoelectronics Study Findings from J.A. Zhang and Co-Researchers (A Bandgap Reference in 65 nm CMOS with Low Threshold Voltage MOSFET)
    In: Nanotechnology Weekly, 2018-04-09, S. 1023
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Strained CMOS on Strain Relaxation Buffer Substrate (USPTO 9882050)
    In: Information Technology Newsweekly, 2018-02-13, S. 3249
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Schottky-CMOS Asynchronous Logic Cells (USPTO 9853643)
    In: Journal of Engineering, 2018-01-08, S. 7952
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Self Biased Dual Mode Differential CMOS TIA for 400G Fiber Optic Links (USPTO 9793863)
    In: Journal of Engineering, 2017-10-30, S. 8319
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Simplified Gate Stack Process to Improve Dual Channel CMOS Performance (USPTO 9741822)
    In: Electronics Newsweekly, 2017-09-05, S. 3970
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for High-K / Metal Gate CMOS Transistors with TiN Gates (USPTO 9721847)
    In: Chemicals & Chemistry, 2017-08-18, S. 4638
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    Patent Issued for CMOS Device with Reading Circuit (USPTO 9640228)
    In: Journal of Engineering, 2017-05-15, S. 3228
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    Patent Issued for High Density and Modular CMOS Logic Based on 3D Stacked, Independent-Gate, Junctionless FinFETs (USPTO 9515088)
    In: Electronics Newsweekly, 2016-12-20, S. 3232
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for CMOS Circuit Having a Tensile Stress Layer Overlying an NMOS Transistor and Overlapping a Portion of Compressive Stress Layer (USPTO 9373548)
    In: Journal of Engineering, 2016-07-04, S. 2952
    Zeitungsartikel
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