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    Localized Growth of Carbon Nanotubes on CMOS Substrate at Room Temperature Using Maskless Post-CMOS Processing
    YING, ZHOU ; JOHNSON, Jason Lee ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 11 (2012), Heft 1, S. 16-20
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Run-Time Data-Dependent Defect Tolerance for Hybrid CMOS/Nanodevice Digital Memories
    FEI, SUN ; LU, FENG ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 7 (2008), Heft 2, S. 217-222
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Variable Interface Dipoles of Metallated Porphyrin Self-Assembled Monolayers for Metal-Gate Work Function Tuning in Advanced CMOS Technologies
    KHADERBAD, Mrunal A ; ROY, Urmimala ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 9 (2010), Heft 3, S. 335-337
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Field-induced interband tunneling effect transistor (FITET) with negative-differential transconductance and begative-differential conductance
    KYUNG ROK, KIM ; HYUN HO, KIM ; et al.
    In: 2004 Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu, HI, USA, 13-14 June, Jg. 4 (2005), Heft 3, S. 317-321
    Online Konferenz
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    Simulation Study of Performance for a 20-nm Gate Length In0.53Ga0.47As Implant Free Quantum Well MOSFET
    BENBAKHTI, Brahim ; MARTINEZ, Antonio ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 11 (2012), Heft 4, S. 808-817
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Devices and Input Vectors are Shaping von Neumann Multiplexing
    BEIU, Valeriu ; IBRAHIM, Walid
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 10 (2011), Heft 3, S. 606-616
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Threshold Voltage Variations Make Full Adders Reliabilities Similar
    IBRAHIM, Walid ; BEIU, Valeriu
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 9 (2010), Heft 6, S. 664-667
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    High-Performance Si Nanowire Transistors on Fully Si Bulk Substrate From Top-Down Approach: Simulation and Fabrication
    JING, ZHUGE ; YU, TIAN ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 9 (2010), Heft 1, S. 114-122
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Quantum Threshold Voltage Modeling of Short Channel Quad Gate Silicon Nanowire Transistor
    RAKESH KUMAR, P ; MAHAPATRA, Santanu
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 10 (2011), Heft 1, S. 121-128
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Investigation of Channel Backscattering Characteristics in Nanoscale Uniaxial-Strained PMOSFETs
    LEE, Wei ; PIN, SU
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 8 (2009), Heft 6, S. 692-696
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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