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    CVD preparation and characterization of tin dioxide films for electrochemical applications
    YUSTA, F. J ; HITCHMAN, M. L ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 7 (1997), Heft 8, S. 1421-1427
    Online academicJournal
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    Reproducible MOCVD of barium fluoride: studies of the effect of the degree of precursor crystallinity and purity
    HITCHMAN, M. L ; SHAMLIAN, S. H ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 5 (1995), Heft 1, S. 47-52
    Online academicJournal
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    Synthesis and structure of mixed isopropoxide-β-ketoester and β-ketoamide zirconium complexes: Potential precursors for MOCVD of ZrO2
    PATIL, Urmila ; WINTER, Manuela ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 13 (2003), Heft 9, S. 2177-2184
    Online academicJournal
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    Growth control and characterization of vertically aligned IrO2 nanorods
    CHEN, Reui-San ; HUANG, Ying-Sheng ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 13 (2003), Heft 10, S. 2525-2529
    Online academicJournal
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    Atmospheric pressure chemical vapour deposition of thin films of Nb2Os on glass
    O'NEILL, Shane A ; PARKIN, Ivan P ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 13 (2003), Heft 12, S. 2952-2956
    Online academicJournal
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    Chemical vapour deposition of tantalum silicide thin films from difluorosilylene and tantalum halides
    LEE, C. Y ; HUANG, J. L ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 6 (1996), Heft 7, S. 1131-1133
    Online academicJournal
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    Remote plasma-enhanced chemical vapour deposition of silicon nitride films : the effect of diluting nitrogen with helium
    ALEXANDROV, S. E ; HITCHMAN, M. L ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 5 (1995), Heft 3, S. 457-460
    Online academicJournal
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    Propylene sulfide as a sulfur-containing precursor in MOCVD : study of mixtures of Me2Cd and propylene sulfide in the gas, liquid and solid phases and their use in MOCVD
    ALMOND, M. J ; COCKAYNE, B ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 5 (1995), Heft 9, S. 1351-1355
    Online academicJournal
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    MoO3 thin films prepared via MOCVD from a volatile molybdenyl complex
    BALLARIN, B ; BRESCACIN, E ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 5 (1995), Heft 8, S. 1147-1150
    Online academicJournal
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    Chemical vapour deposition of ZrO2 thin films monitored by IR spectroscopy
    GOULD, B. J ; POVEY, I. M ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 4 (1994), Heft 12, S. 1815-1819
    Online academicJournal
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    Investigations into the growth of AlN by MOCVD using tri-tert-butylaluminium as an alternative aluminium source
    JONES, A. C ; AULD, J ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 4 (1994), Heft 10, S. 1591-1594
    Online academicJournal
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    Growth of TiOx overlayers by chemical vapour deposition on a single-crystal copper substrate
    YUAN MIN, WU ; NIX, R. M
    In: Journal of material chemistry, Jg. 4 (1994), Heft 9, S. 1403-1407
    Online academicJournal
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    Growth of ZnO by MOCVD using alkylzinc alkoxides as single-source precursors
    AULD, J ; HOULTON, D. J ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 4 (1994), Heft 8, S. 1249-1253
    Online academicJournal
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    Co-pyrolysis of hydrocarbons and SiEt4 for the synthesis of graduated SixC1-x ceramic thin films by chemical vapour deposition
    AGULLO, J. M ; FAU-CANILLAC, F ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 4 (1994), Heft 5, S. 695-701
    Online academicJournal
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    Alternative single-source precursor for growth of indium pnictide thin layers
    NOMURA, R ; SHIMOKAWATOKO, T ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 4 (1994), Heft 1, S. 51-54
    Online academicJournal
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    TiO2 thin films by chemical vapour deposition: control of the deposition process and film characterisation
    ZHONG-XIN, CHEN ; DERKING, A
    In: Journal of material chemistry, Jg. 3 (1993), Heft 11, S. 1137-1140
    Online academicJournal
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    Formation of oxide thin films from reactions of hydrogen peroxide vapour with gas mixtures containing silane and other hydrides
    TAYLOR, M. P ; TIMMS, P. L ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 8 (1998), Heft 8, S. 1769-1771
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    Investigations into the growth of AlN by MOCVD using trimethylsilylazide as nitrogen source
    AULD, J ; HOULTON, D. J ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 4 (1994), Heft 8, S. 1245-1247
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    Growth of II-VI compounds by metal-organi chemical vapour deposition : propylene sulfide : a novel sulfur-containing precursor for MOCVD growth of ZnS
    ALMOND, M. J ; BEER, M. P ; et al.
    In: Journal of material chemistry, Jg. 5 (1995), Heft 6, S. 853-854
    Online academicJournal
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