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    High temperature phase and morphological changes of CVD-SiC films studied using in situ X-ray diffractometry
    KINGETSU, T ; ITO, K ; et al.
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 36 (1998), Heft 5-6, S. 284-289
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High-rate chemical vapor deposition of nanocrystalline silicon carbide films by radio frequency thermal plasma
    LIAO, F ; PARKA, S ; et al.
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 57 (2003), Heft 13-14, S. 1982-1986
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of oxygen pressure upon composition variation during chemical vapor deposition growth of lead titanate films from tetraethyl lead and titanium tetraisopropoxide
    LU SHENG, HONG ; CHUNG CHIEH, WEI
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 46 (2000), Heft 2-3, S. 149-153
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Hot-filament-enhanced chemical vapor deposition of silicon oxide films
    CHAVEZ, F ; BRAVO-GARCIA, Y. E ; et al.
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 43 (2000), Heft 5-6, S. 324-328
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Plasma enhanced growth, composition and refractive index of silicon oxynitride films
    BOSE, M ; BOSE, D. N ; et al.
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 52 (2002), Heft 6, S. 417-422
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A comparative study of plasma enhanced chemically vapor deposited Si-O-H and si-N-C-H films using the environmentally benign precursor diethylsilane
    LEVY, R. A ; CHEN, L ; et al.
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 54 (2002), Heft 2-3, S. 102-107
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of ammonia plasma pretreatment on the plasma enhanced chemical vapor deposited silicon nitride films
    BOSE, M ; BASA, D. K ; et al.
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 48 (2001), Heft 6, S. 336-341
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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