Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
158 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

158 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Structural and optical characteristics of InGaP layers grown on GaAs substrates by LPE technique
    PRUTSKIJ, T ; DIAZ-ARENCIBIA, P ; et al.
    In: Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology, Jg. 338-40 (2004), S. 269-272
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Investigation of the composition-pulling or lattice-latching effect in LPE
    RODRIGUEZ-TORRES, M. Del P ; GORBATCHEV, A. Yu ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 277 (2005), Heft 1-4, S. 138-142
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Effect of bismuth on liquid-phase epitaxy (LPE) grown GaAs layer using Ga-As-Bi melt
    JEGANATHAN, K ; SARAVANAN, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 200 (1999), Heft 3-4, S. 341-347
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Isoperiodical heterostructures GaInAsSb/GaSb grown by LPE from Sb-rich melts in spinodal decomposition area
    VASIL'EV, V. I ; NIKITINA, I. P ; et al.
    In: Fourth International Workshop on Expert Evaluation and Control of Semiconductor Materials and Technologies, June 22-24, 1998, Cardiff, Wales, Jg. 66 (1999), Heft 1-3, S. 67-69
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    High purity GaSb grown by LPE in a sapphire boat
    OLVERA-HERNANDEZ, J ; DE ANDA, F ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 208 (2000), Heft 1-4, S. 27-32
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Influence of arsenic concentration on the surface morphology and photoluminescence of LPE grown AlGaAsSb/GaSb with high aluminium content
    DUTTA, P. S ; BHAT, H. L ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 160 (1996), Heft 1-2, S. 177-180
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Effect of various factors upon the stoichiometry of GaAs homoepitaxial layers grown by LPE
    GOVORKOV, A. V ; NOVIKOV, A. G ; et al.
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 144 (1994), Heft 1, S. 121-130
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    2 K photoluminescence of indirect GAP AlxGa1-xAs alloys grown under near-equilibrium conditions by LPE
    MARTINEZ-CRIADO, G ; PURON-SOPENA, E ; et al.
    In: Optical materials (Amsterdam), Jg. 10 (1998), Heft 2, S. 137-142
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    K-nonconserving transition in heavily doped LPE grown n-type In0.5Gao.5P
    JEONG, B. S ; CHOI, J. S ; et al.
    In: Solid state communications, Jg. 82 (1992), Heft 1, S. 7-12
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Photoluminescence of LPE-grown InAs1-x-ySbxPy for 2.55 μm lasers
    KRIER, A ; ROWE, D. R
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 13 (1992), Heft 4-5, S. 225-231
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Gettering properties of praseodymium in InGaP LPE growth
    LAI, M. Z ; CHANG, L. B
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 27 (1992), Heft 5, S. 623-627
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Donor gettering of LPE (liquid-phase-epitaxy)InGaAsP layers in the presence of Er
    MENG-CHYI, WU ; EN-HSING, CHEN ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 30 (1991), Heft 11A, S. 2679-2682
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Crystalline quality of extremely-low-temperature-grown LPE-GaSb
    KITAMURA, N ; UEKITA, H ; et al.
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 10 (1991), Heft 9-10, S. 417-420
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    LPE growth and phase stability of In1-xGaxP at 740C
    CHOI, J. S ; LYOU, H. S ; et al.
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 125 (1991), Heft 1, S. K27- (4S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Extremely-low-temperature LPE growth of AlxGa1-x-yInySb
    KATO, K ; UEKITA, H ; et al.
    In: Materials letters (General ed.), Jg. 13 (1992), Heft 2-3, S. 93-95
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Effect of doping and heat treatment on the lattice constant in homoepitaxial GaAs layers prepared by LPE
    GOVORKOV, A. V ; EFIMOV, A. G ; et al.
    In: Soviet physics. Crystallography, Jg. 36 (1991), Heft 6, S. 875-877
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    LPE growth and characterization of InGaAsP/InP multiquantum well epitaxial layers
    SASAI, Y ; OGURA, M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 78 (1986), Heft 3, S. 461-467
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Growth of In02.5Ga0.5P on GaAs by LPE: the influence of growth temperature and lattice mismatch on photoluminescence
    CHANG, L. B ; CHENG, K. Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 7, S. 1145-1150
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Effect of lattice mismatch between epitaxial layer and substrate on immiscibility of InGaAsP/GaAs LPE layers
    TANAKA, S ; HIRAMATSU, K ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 87 (1988), Heft 4, S. 446-452
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Photoluminescence of InGaP/GaAs (111) LPE layers with elastic strain due to lattice mismatch
    KATO, T ; MATSUMOTO, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 6, S. 893-896
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -