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    Strain relaxation and mosaic structure in relaxed SiGe layers
    MOONEY, P. M ; LEGOUES, F. K ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 26, S. 3464-3466
    Online academicJournal
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    Spatially resolved Raman spectroscopy of a step graded GexSi1-x strain relief structure
    TSANG, J. C ; DACOL, F. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 10, S. 1146-1148
    Online academicJournal
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    Raman scattering analysis of relaxed GexSi1-x alloy layers
    MOONEY, P. M ; DACOL, F. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 17, S. 2069-2071
    Online academicJournal
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    Hydrogen plasma removal of AlGaAs oxides before molecular beam epitaxy
    CHOQUETTE, K. D ; HONG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 7, S. 735-737
    Online academicJournal
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    Schottky barrier height of InxAl1-xAs epitaxial and strained layers
    CHU, P ; LIN, C. L ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 53 (1988), Heft 24, S. 2423-2425
    Online academicJournal
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    Critical layer thickness in strained Ga1-xInxAs/InP quantum wells
    TEMKIN, H ; GERSHONI, D. G ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 55 (1989), Heft 16, S. 1668-1670
    Online academicJournal
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    Admittance spectroscopy measurement of band offsets in strained layers of InxGa1-xAs grown on InP
    CAVICCHI, R. E ; LANG, D. V ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 54 (1989), Heft 8, S. 739-741
    Online academicJournal
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    Molecular beam epitaxial growth and characterization of 2-in.-diam Hg1-xCdxTe films on GaAs (100) substrates
    LANGE, M. D ; SIVANANTHAN, S ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 52 (1988), Heft 12, S. 978-980
    Online academicJournal
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    Thermal stability of InGaAs/InP quantum well structures grown by gas source molecular beam epitaxy
    TEMKIN, H ; CHU, S. N. G ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 50 (1987), Heft 15, S. 956-958
    Online academicJournal
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    Observation of resonant tunneling through a compositionally graded parabolic quantum well
    SEN, S ; CAPASSO, F ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 51 (1987), Heft 18, S. 1428-1430
    Online academicJournal
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    Amorphous and metastable phases formation in Au-Ge bilayers by ion beam mixing / Formation de phases amorphes et métastables dans les bicouches Au-Ge par mélange par faisceaux d'ions
    TE-CHANG, CHU ; CANNAVO, S ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 44 (1984), Heft 11, S. 1044-1046
    Online academicJournal
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    Ion channeling studies on InGaAs/GaAs strained-layer superlattices
    PICRAUX, S. T ; DAWSON, L. R ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 43 (1983), Heft 10, S. 930-932
    Online academicJournal
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