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    U.S. Patent and Trademark Office Receives International Business Machines's Patent Application for Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) Apparatus with Self-Aligned Backside Contact.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2024-03-28
    Zeitungsartikel
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    International Business Machines Files United States Patent Application for Backside CMOS Trench EPI with Close N2P Space.
    In: Global IP News: Business and Commerce Patent News, 2024-03-28
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Qubit-optical-CMOS integration using structured substrates (USPTO 11730067).
    In: Technology Business Journal, 2023-09-05, S. 3534
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for FinFET complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices (USPTO 11652006).
    In: Technology Business Journal, 2023-06-06, S. 2334
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    International Business Machines Granted Patent for Qubit-Optical-CMOS Integration Using Structured Substrates.
    In: Global IP News: Broadband and Wireless Network Patent News, 2023-08-19
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for CMOS top source/drain region doping and epitaxial growth for a vertical field effect transistor (USPTO 11615990).
    In: Technology Business Journal, 2023-04-18, S. 2141
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Vertical transport CMOS transistors with asymmetric threshold voltage (USPTO 11527616).
    In: Investment Weekly News, 2023-01-07, S. 3457
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Integrating embedded memory on CMOS logic using thin film transistors (USPTO 11489009).
    In: Technology Business Journal, 2022-11-22, S. 2399
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Multi-metal dipole doping to offer multi-threshold voltage pairs without channel doping for highly scaling CMOS device (USPTO 11393725).
    In: Technology Business Journal, 2022-08-09, S. 3157
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Artificial synapse with hafnium oxide-based ferroelectric layer in CMOS back-end (USPTO 11244999).
    In: Technology Business Journal, 2022-03-01, S. 1876
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Patent Issued for FinFET complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices (USPTO 11244872).
    In: Technology Business Journal, 2022-03-01, S. 2400
    Zeitungsartikel
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    IBM Files United States Patent Application for Vertical Transport CMOS Transistors with Asymmetric Threshold Voltage.
    In: Global IP News: Electrical Patent News, 2022-05-27
    Zeitungsartikel
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    U.S. Patent and Trademark Office Publishes IBM's Patent Application for FinFET Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) Devices.
    In: Global IP News: Nanotech Patent News, 2022-05-06
    Zeitungsartikel
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    State Intellectual Property Office of China Releases IBM's Patent Application for Linearly Weight Updatable CMOS Synaptic Array Without Cell Location Dependence.
    In: Global IP News: Healthcare Patent News, 2022-04-19
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Multi-metal dipole doping to offer multi-threshold voltage pairs without channel doping for highly scaling CMOS device (USPTO 11195762).
    In: Technology Business Journal, 2021-12-28, S. 3012
    Zeitungsartikel
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    IBM Gets Patent for Artificial Synapse with Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Layer in CMOS Back-End.
    In: Global IP News: Information Technology Patent News, 2022-02-09
    Zeitungsartikel
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    IBM Secures Patent on FinFET Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) Devices.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2022-02-09
    Zeitungsartikel
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    IBM Gets Patent for Encryption Engine with an Undetectable/Tamper-Proof Private Key in Late Node CMOS Technology.
    In: Global IP News: Software Patent News, 2022-01-05
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Vertical stacked nanosheet CMOS transistors with different work function metals (USPTO 11158544).
    In: Investment Weekly News, 2021-11-20, S. 4153
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Fully-depleted CMOS transistors with u-shaped channel (USPTO 11145758).
    In: Technology Business Journal, 2021-11-02, S. 2293
    Zeitungsartikel
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