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    A 1.8 V high-speed 8-bit hybrid DAC with integrated rail-to-rail buffer amplifier in CMOS 180 nm
    Rosli, Alia ; Marzuki, Arjuna ; et al.
    In: Microelectronics International, Jg. 38 (2021-05-18), S. 46-54
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    Power-Efficient CMOS Cellular RF Receivers for Carrier Aggregation According to RF Front-End Configuration
    Thomas Byunghak Cho ; Han, Junghwan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 69 (2021), S. 452-468
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    The State of the Art in CMOS VCOs: Mm-Wave VCOs in Advanced CMOS Technology Nodes
    Issakov, Vadim
    In: IEEE Microwave Magazine, Jg. 20 (2019-12-01), S. 59-71
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    Deep Integration and Topological Cohabitation of Active Circuits and Antennas for Power Amplification and Radiation in Standard CMOS
    Wu, Ke ; Srinaga Nikhil Nallandhigal ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 68 (2020-10-01), S. 4405-4423
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    A 1-mm2 CMOS-pipelined ADC with integrated folded cascode operational amplifier
    Idros, Norhamizah ; Rajendran, Jagadheswaran ; et al.
    In: Microelectronics International, Jg. 37 (2020-09-11), S. 205-213
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    Reconfigurable 2.4-/5-GHz Dual-Band Transmitter Front-End Supporting 1024-QAM for WLAN 802.11ax Application in 40-nm CMOS
    Liu, Bei ; Yi, Xiang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 68 (2020-09-01), S. 4018-4030
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    Analysis of System-Level ESD-Induced Soft Failures in a CMOS Microcontroller
    Rosenbaum, Elyse ; Vora, Sandeep
    In: IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Jg. 62 (2020-12-01), S. 2679-2688
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    Efficient Jitter Analysis for a Chain of CMOS Inverters
    Jai Narayan Tripathi ; Shrimali, Hitesh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Jg. 62 (2020-02-01), S. 229-239
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    Hot-carrier evaluation of a zero-cost transistor developed via process optimization in an embedded non-volatile memory CMOS technology
    Regnier, Arnaud ; Marzaki, Abderrezak ; et al.
    2021
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    CMOS Integrated Magnetless Circulators Based on Spatiotemporal Modulation Angular-Momentum Biasing
    Sounas, Dimitrios L. ; Kord, Ahmed ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 67 (2019-07-01), S. 2649-2662
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    Analysis and Design of a Polar Digitally Modulated CMOS PA Based on Switched Constant-Current
    Duarte, Candido ; Gomes, Rui ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 68 (2020-02-01), S. 785-795
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    A 28.16-Gb/s Area-Efficient 60-GHz CMOS Bidirectional Transceiver for IEEE 802.11ay
    Kawai, Seitaro ; Abdo, Ibrahim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 68 (2020), S. 252-263
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    Time of arrival measurement for indoor distance monitoring in 130-nm CMOS
    Banerjee, Gaurab ; Javed S Gaggatur
    In: Measurement, Jg. 146 (2019-11-01), S. 372-379
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    CMOS Transmitters for 2.4-GHz RF Devices: Design Architectures of the 2.4-GHz CMOS Transmitter for RF Devices
    Torikul Islam Badal ; Mohammad Arif Sobhan Bhuiyan ; et al.
    In: IEEE Microwave Magazine, Jg. 20 (2019), S. 38-61
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    A Multiresolution Time Domain (MRTD) Method for Crosstalk Noise Modeling of CMOS-Gate-Driven Coupled MWCNT Interconnects
    Bheema Rao Nistala ; Rebelli, Shashank
    In: IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Jg. 62 (2020-04-01), S. 521-531
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A Fully Integrated −32-dB EVM Broadband 802.11abgn/ac PA With an External PA Driver in WLP 40-nm CMOS
    Lee, Ockgoo ; Ho, Yo-Chuol ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 67 (2019-05-01), S. 1870-1882
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    A 1.7-mW −92-dBm Sensitivity Low-IF Receiver in 0.13- <tex-math notation='LaTeX'>$\mu$ </tex-math> m CMOS for Bluetooth LE Applications
    Joao Costa Freire ; Joao Caldinhas Vaz ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 67 (2019), S. 332-346
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    RF Watt-Level Low-Insertion-Loss High-Bandwidth SOI CMOS Switches
    Buckwalter, James F. ; Hamza, Ahmed ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 66 (2018-12-01), S. 5724-5736
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    The impact of scaling on single event upset in 6T and 12T SRAMs from 130 to 22 nm CMOS technology
    Anis Nurashikin Nordin ; Yusop, N. S. ; et al.
    In: Radiation Effects and Defects in Solids, Jg. 173 (2018-11-08), S. 1090-1104
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    Analysis of 6 T SRAM cell in sub-45 nm CMOS and FinFET technologies
    Cleiton Magano Marques ; Almeida, Roberto B. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, 2018-09-01, S. 196-202
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