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    Complementary Self-Biased Logics Based on Single-Electron Transistor (SET)/CMOS Hybrid Process
    Park, Joo-On ; Park, Byung-Gook ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 44 (2005-04-01), S. 2618-2618
    Online unknown
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    High-Performance Top-Gate Carbon Nanotube Field-Effect Transistors and Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Inverters Realized by Controlling Interface Charges
    Moriyama, Naoki ; Mizutani, Takashi ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 3 (2010-10-01), S. 105102-105102
    Online unknown
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    Single Electron Fault Modeling in Basic Quantum Devices
    Mohammad Naser Moghaddasi ; Mahdavi, Mojdeh ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-09-01), S. 094401-94401
    Online unknown
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    Impact of (Quasi-)Ballistic Transport on Operation of Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Inverters Based on Fully-Depleted Silicon-on-Insulator and Nanowire Devices
    Jaud, Marie-Anne ; Munteanu, Daniela ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011), S. 014103-14103
    Online unknown
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    Silicon-Based Dual-Gate Single-Electron Transistors for Logic Applications
    Yang, Hong-Seon ; Sang Hyuk Park ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-07-21), S. 071203-71203
    Online unknown
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